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龙图腾网获悉株式会社EGTM申请的专利利用核生长阻滞的区域选择性薄膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116829761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280009152.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权利用核生长阻滞的区域选择性薄膜形成方法是由金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;郑主焕;曹贤植设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用核生长阻滞的区域选择性薄膜形成方法在说明书摘要公布了：根据本发明的一实施例，区域选择性薄膜形成方法包括：核生长阻滞剂供应步骤，将核生长阻滞剂供应至置有基板的腔体之内，使所述核生长阻滞剂吸附至所述基板的非生长区域；净化所述腔体内部的步骤；前驱体供应步骤，向所述腔体内供应前驱体，使得所述前驱体吸附至所述基板的生长区域；净化所述腔体内部的步骤；以及薄膜形成步骤，向所述腔体内供应反应物质，使该反应物质与所述吸附的前驱体反应以形成薄膜。

本发明授权利用核生长阻滞的区域选择性薄膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种区域选择性薄膜形成方法，其特征在于，包括： 核生长阻滞剂供应步骤，将核生长阻滞剂供应至置有基板的腔体内，以使该核生长阻滞剂吸附至所述基板的非生长区域和生长区域； 净化所述腔体内部的步骤； 前驱体供应步骤，向所述腔体内供应前驱体； 净化所述腔体内部的步骤；以及 薄膜形成步骤，向所述腔体内供应反应物质，使该反应物质与所述吸附的前驱体反应以形成薄膜，所述基板的生长区域上形成的所述薄膜的厚度大于所述基板的非生长区域上形成的薄膜的厚度， 所述非生长区域是具有第一族~第十三族元素中一个以上作为中心元素的含金属膜，所述生长区域包括Si或Ge作为中心元素， 所述核生长阻滞剂由下列化学式4、化学式6、化学式8中之一表示： 化学式4 在化学式4中，n各自从1至8的整数中选择，m各自从1至5的整数中选择，R1及R2各自从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基以及具有6至12个碳原子的芳基中选择； 化学式6 在化学式6中，n各自从1至8的整数中选择，m各自从1至6的整数中选择，R1及R2各自从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基以及具有6至12个碳原子的芳基中选择； 化学式8 在化学式8中，n各自从0至8的整数中选择，R1至R3各自从具有1至8个碳原子的烷基中选择，R4各自从氢原子、具有1至6个碳原子的烷基以及具有1至8个碳原子的烷氧基中选择。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社EGTM，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区新院路304, 3-303(远泉洞，灵通伊诺普莱克斯)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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