中子高新技术产业发展(重庆)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉中子高新技术产业发展(重庆)有限公司申请的专利靶片及制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116798676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310782202.5,技术领域涉及:G21G4/02;该发明授权靶片及制作方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本靶片及制作方法在说明书摘要公布了:本发明涉及核能的技术领域,具体提供一种靶片及制作方法,旨在解决现有靶片服役时温度较高,靶片换热不够,进而造成靶片失效的问题。为此目的,本发明的靶片包括相连的导热层和复合层,导热层包括以下重量百分比的组分:1%~20%的Pd和80~99%的Cu,通过上述重量百分比的组分的协同复配作用,具有良好的导热性能,同时也使得导热层与复合层之间形成良好的连接。
本发明授权靶片及制作方法在权利要求书中公布了:1.一种靶片,其特征在于,所述靶片包括相连的导热层和复合层,所述导热层包括以下重量百分比的组分: 1%~20%的Pd和80%~99%的Cu; 所述复合层包括反应层,所述反应层包括以下重量百分比的组分: 80%~99%的Be和1%~20%的Pd; 所述复合层还包括第一过渡层,所述第一过渡层包括以下重量百分比的组分: 30%~80%的Be和20%~70%的Pd; 所述复合层还包括吸氢层,所述吸氢层包括以下重量百分比的组分: 1%~29%的Be、70%~98%的Pd和1%~29%的Cu。
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