安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有离子共轭层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116759889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310252835.5，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种设有离子共轭层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;季徐芳;陈三喜;张江勇;蒙磊;刘紫涵;蔡鑫设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有离子共轭层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有离子共轭层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有离子共轭层,离子共轭层可提升摩尔吸收系数和补偿极化场，诱发局部极化进而调控载流子和费米能级，提升激光元件小兔子简并度，减少自由载流子的吸收损耗，促进受激辐射超过自发辐射，改善激光元件中谐振腔非平衡载流子的粒子反转，降低激射阈值，实现室温连续振荡，提升激光元件的斜率效率，并降低有源层的价带带阶，提升空穴注入效率和注入均匀性，提升激光元件的峰值增益和增益均匀性。
本发明授权一种设有离子共轭层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有离子共轭层的氮化物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：有源层103与上波导层104之间和有源层103与下波导层102之间设有离子共轭层107； 所述离子共轭层107可提升摩尔吸收系数和补偿极化场，诱发局部极化进而调控载流子和费米能级，提升激光元件光子简并度，减少自由载流子的吸收损耗，促进受激辐射超过自发辐射，改善激光元件中谐振腔非平衡载流子的粒子反转，降低激射阈值，实现室温连续振荡，提升激光元件的斜率效率，并降低有源层的价带带阶，提升空穴注入效率和注入均匀性，提升激光元件的峰值增益和增益均匀性。
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