北京北方华创微电子装备有限公司孙晓亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种氧化硅的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116730279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310583019.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种氧化硅的刻蚀方法是由孙晓亮;王京;王冬涵;于庆涛;张子涵设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化硅的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化硅的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底包括氧化硅层，氧化硅层上设有掩膜层；向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并向工艺腔室的上电极和下电极分别加载上电极功率信号和下电极功率信号，以对氧化硅层进行刻蚀，在氧化硅层中形成刻蚀沟槽，上电极功率信号和下电极功率信号采用同步脉冲模式。本发明能够简化刻蚀工序并获得深宽比较高的氧化硅形貌结构。
本发明授权一种氧化硅的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括氧化硅层； 向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并向所述工艺腔室的上电极和下电极分别加载上电极功率信号和下电极功率信号，以对所述氧化硅层进行刻蚀，在所述氧化硅层中形成刻蚀沟槽，所述上电极功率信号和所述下电极功率信号采用同步脉冲模式，所述同步脉冲模式为所述上电极功率信号和所述下电极功率信号同步； 所述第一刻蚀气体包括第一碳氟类气体、副产物去除气体和稀释气体，所述第一碳氟类气体包括C4F6，所述副产物去除气体包括O2，所述稀释气体包括Ar；所述第一刻蚀气体中Ar、C4F6及O2的气体流量比值范围为50-70：1.5-3：1。
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