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龙图腾网获悉无锡盛景微电子股份有限公司;西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116679792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310877167.5，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法是由请求不公布姓名;李彦铭;陶永斌;请求不公布姓名;赵成功;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法，解决现有带隙基准需要使用运算放大器、电阻及功耗高的问题，包括相连接的：正温度系数模块包括第一、第二晶体管和第一MOS管，第一、第二晶体管的基极‑发射极电压之差在第一MOS管上产生正温度系数电压；钳位模块包括第一、第二钳位MOS管，钳位模块用于提供相等的第一钳位电压与第二钳位电压；负温度系数模块包括第一MOS管和第二MOS管，第一、第二MOS管的阈值电压作为负温度系数电压；电流镜模块将第一晶体管所在支路的电流按比例复制到负温度系数模块所在支路及第二晶体管所在支路，负温度系数电压与正温度系数电压相加作为参考电压。

本发明授权一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗带隙基准电路，包括相连接的： 启动电路，用于在上电时产生电流，使整个电路摆脱简并点而工作； 其特征在于，还包括： 正温度系数模块，所述正温度系数模块包括第一、第二晶体管和第一MOS管M1，所述第一晶体管的集电极和基极连接到第一MOS管M1的漏极，第二晶体管的集电极和基极连接到第一MOS管M1的源极，所述第一、第二晶体管的基极-发射极电压之差在第一MOS管M1上产生正温度系数电压； 钳位模块，所述钳位模块包括第一、第二钳位MOS管，所述第一、第二钳位MOS管的源极分别与所述第一、第二晶体管的漏极相连接，所述钳位模块用于提供第一钳位电压和第二钳位电压，并使所述第一钳位电压与所述第二钳位电压相等； 负温度系数模块，所述负温度系数模块包括所述第一MOS管M1和第二MOS管M2，所述第一MOS管M1和所述第二MOS管M2的阈值电压作为负温度系数电压； 电流镜模块，所述电流镜模块将第一晶体管所在支路的电流按比例复制到负温度系数模块所在支路及第二晶体管所在支路； 负温度系数电压与正温度系数电压按设置的权重进行补偿后叠加在一起，获得的电压作为产生的参考电压； 所述电流镜模块包括相连接的MOS管M8、M5、M9、M6、M10、M7，MOS管M8、M5、M9、M6构成第一电流镜单元，MOS管M10、M7、M9、M6构成第二电流镜单元，MOS管M10的源极连接到MOS管M9、MOS管M8的源极，MOS管M10的栅极连接到MOS管M9、MOS管M8的栅极，MOS管M10的漏极连接到MOS管M7的源极，MOS管M9的漏极连接到MOS管M6的源极，MOS管M8的漏极连接到MOS管M5的源极，MOS管M7的栅极连接到MOS管M6、MOS管M5的栅极，MOS管M6的漏极连接第一钳位MOS管的漏极和M7的栅极，MOS管M7的漏极连接第二钳位MOS管的漏极和栅极； 所述第一、第二晶体管采用三极管Q1和三极管Q2，Q1的发射极连接第一钳位MOS管的源极，Q2的发射极连接第二钳位MOS管的源极，Q1的基极连接Q1的集电极，Q2的基极连接Q2的集电极； 第一MOS管M1的漏极连接第二MOS管M2的源极，Q2的集电极连接到第一MOS管M1的源极，Q1的集电极连接到第二MOS管M2的源极，第一MOS管M1和第二MOS管M2的栅极相连接，第二MOS管M2的漏极还与MOS管M5的漏极和MOS管M1的栅极相连接。

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