加利福尼亚大学董事会K·班纳吉获国家专利权
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龙图腾网获悉加利福尼亚大学董事会申请的专利CMOS兼容性石墨烯结构、互连体和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116569319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180077379.4，技术领域涉及：C01B32/182；该发明授权CMOS兼容性石墨烯结构、互连体和制造方法是由K·班纳吉;J·江;K·阿加希瓦拉设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS兼容性石墨烯结构、互连体和制造方法在说明书摘要公布了：MLG多层石墨烯器件层结构体与通孔连接。该结构包括在电介质层上的M1MLG互连体器件层。层间电介质隔开M1MLG互连体器件层。M2MLG互连体器件层位于所述层间电介质上。金属通孔穿透M2MLG互连体器件层、层间电介质和M1MLG互连体器件层，并贯穿M1MLG和M2MLG层的厚度形成边缘接触。经由在扩散温度下施加机械压力使碳从固相石墨烯前体扩散通过催化剂层以在电介质或金属层上沉积MLG从而形成MLG层的方法。
本发明授权CMOS兼容性石墨烯结构、互连体和制造方法在权利要求书中公布了：1.用于在CMOS互补金属氧化物半导体兼容性工艺温度下直接在电介质或金属层上形成与过孔连接的MLG多层石墨烯器件层的方法，包括： 提供电介质或金属层； 在所述电介质或金属层上沉积金属或金属合金催化剂层； 在所述催化剂层上沉积固相石墨烯前体；和 经由在扩散温度下施加机械扩散压力使碳从石墨烯前体扩散通过催化剂层以在所述电介质或金属层上沉积MLG，从而形成M1MLG层； 除去所述催化剂层和任何过量的石墨烯前体； 在所述M1MLG层上沉积层间电介质； 经由沉积催化剂层、沉积固相石墨烯前体和使碳扩散而在所述层间电介质上形成M2MLG层； 打开通过M2MLG、层间电介质和M1MLG层的整体的导通孔以形成导通孔；和 在所述导通孔中沉积过孔金属以贯穿M1MLG层和M2MLG层二者的厚度形成边缘接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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