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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种半导体锁模激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116544781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310395304.1，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种半导体锁模激光器及其制备方法是由张瑞康;宋浩;陆丹;赵玲娟设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体锁模激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体锁模激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，用于解决现有技术中因自相位调制和色散效应导致飞秒脉冲难以实现输出的问题，从而避免使用外部脉冲压缩技术，进而降低了生产成本。该半导体锁模激光器包括：反射镜区、增益区和饱和吸收区；增益区设置在反射镜区和饱和吸收区之间、且分别与反射镜区和饱和吸收区相连；半导体锁模激光器还包括衬底、以及设置在衬底同侧的啁啾光栅层和有源层；其中，啁啾光栅层设置在反射镜区、且包括光栅周期沿半导体锁模激光器的出射方向线性递减的多个光栅，有源层设置在增益区和饱和吸收区，啁啾光栅层与衬底的距离大于有源层与衬底的距离。

本发明授权一种半导体锁模激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体锁模激光器，其特征在于，包括：反射镜区、增益区和饱和吸收区；所述增益区设置在所述反射镜区和所述饱和吸收区之间、且分别与所述反射镜区和所述饱和吸收区相连； 所述半导体锁模激光器还包括衬底、以及设置在所述衬底同侧的啁啾光栅层和有源层；其中，所述啁啾光栅层设置在所述反射镜区、且包括光栅周期沿所述半导体锁模激光器的出射方向线性递减的多个光栅，所述有源层设置在所述增益区和所述饱和吸收区，所述啁啾光栅层与所述衬底的距离大于所述有源层与所述衬底的距离； 其中，所述反射镜区包括第一多层生长结构，所述增益区和所述饱和吸收区分别包括第二多层生长结构； 所述第一多层生长结构和所述第二多层生长结构集成在所述衬底的同一侧； 所述第一多层生长结构包括：依次叠层设置在所述衬底上的第一缓冲层、第一限制层、第二限制层、第一波导层和第一电极层；其中，所述啁啾光栅层设置在所述第二限制层靠近所述第一波导层的一侧； 所述第二多层生长结构包括：依次叠层设置在所述衬底上的第二缓冲层、第三限制层、第四限制层、第二波导层和第二电极层；其中，所述有源层设置在所述第三限制层靠近所述第四限制层的一侧； 其中，所述反射镜区中，所述第一波导层包括沿预设方向平行间隔设置的三个第一波导部，所述预设方向与所述半导体锁模激光器的出射方向垂直；相邻所述第一波导部之间设置第一凹槽，以至少露出所述第二限制层；所述啁啾光栅在衬底上的正投影与位于中间位置的所述第一波导部在衬底上的正投影部分交叠； 所述增益区和所述饱和吸收区中，所述第二波导层包括沿所述预设方向平行间隔设置的三个第二波导部；相邻所述第二波导部之间设置第二凹槽，以露出所述第四限制层； 所述第一波导部包括第一上盖部和第一接触部，所述第一接触部设置在所述第一上盖部远离所述衬底的一侧； 所述第二波导部包括第二上盖部和第二接触部，所述第二接触部设置在所述第二上盖部远离所述衬底的一侧； 其中，所述第一上盖部和所述第二上盖部一体相连，所述第一接触部和所述第二接触部相互独立。

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