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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种磁场增强型并联磁路可变磁通记忆电机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116526793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310516720.2，技术领域涉及：H02K21/02；该发明授权一种磁场增强型并联磁路可变磁通记忆电机是由林鹤云;曾现现;赵西方设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁场增强型并联磁路可变磁通记忆电机在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁场增强型并联磁路可变磁通记忆电机，涉及电机技术领域。本发明包括；定子，所述定子包括定子铁心，所述定子铁心上安装有电枢绕组；混合永磁转子，所述混合永磁转子转动连接在所述定子的内部；所述混合永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心上安装有多个第一永磁体，且多个第一永磁体周向等分布设在转子铁心的外缘处；所述第一永磁体的两端均安装有第二永磁体，且第一永磁体的矫顽力小于第二永磁体的矫顽力；所述转子铁心上开设有多个扇形磁障。本发明可以显著提高低矫顽力永磁体的抗负载去磁能力，解决并联磁路可变磁通记忆电机工作点难以稳定的难题，同时保持宽调磁范围的优点。

本发明授权一种磁场增强型并联磁路可变磁通记忆电机在权利要求书中公布了：1.一种磁场增强型并联磁路可变磁通记忆电机，包括； 定子1，所述定子1包括定子铁心11，所述定子铁心11上安装有电枢绕组12； 混合永磁转子2，所述混合永磁转子2转动连接在所述定子1的内部； 所述混合永磁转子2包括转子铁心21，所述转子铁心21上安装有多个第一永磁体22，且多个第一永磁体22周向等分布设在转子铁心21的外缘处； 所述第一永磁体22的两端均安装有第二永磁体23，且第一永磁体22的矫顽力小于第二永磁体23的矫顽力； 所述转子铁心21上开设有多个扇形磁障24，且多个扇形磁障24周向等分布设在转子铁心21上； 所述扇形磁障24的开口朝向转子铁心21外缘，每个扇形磁障24均位于相邻的两个第一永磁体22之间，且扇形磁障24的对称轴与相邻两个第一永磁体22的对称轴相重合； 所述第一永磁体22为低矫顽力永磁体，第一永磁体22横截面呈一字型布设； 所述第一永磁体22双向充磁，磁化方向与其短边长度方向平行，相邻第一永磁体22之间的磁化方向始终保持相反； 所述第二永磁体23为单向充磁，其磁化方向与同一磁极下第一永磁体22的磁化方向平行。

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