南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210877360.4，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件是由黄则尧设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件。该半导体元件具有一第一晶圆以及一第二标记；该第一标记包括一第一基底、一去耦合特征以及多个第一对准标记，该第一基底具有一介电堆叠，该去耦合特征设置在其中一个第一对准标记之下的该介电堆叠中，该多个第一对准标记设置在该第一基底上且相互平行；该第二晶圆设置在该第一晶圆上且包括多个第二对准标记，该多个第二对准标记设置在该多个第一对准标记上。在顶视图中，该多个第二对准标记平行于该多个第一对准标记且邻近该多个第一对准标记设置。该多个第一对准标记与该多个第二对准标记包括一荧光材料。该去耦合特征具有一瓶形剖面轮廓，且该去耦合特征包括一多孔低介电常数材料。
本发明授权具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一晶圆，包括： 一第一基底；以及 多个第一对准标记，设置在该基底上且相互平行；以及 一去耦合特征，设置在其中一个第一对准标记下方且位于介电堆叠中并具有一瓶形轮廓，其中该去耦合特征包括一多孔低介电常数材料； 一第二晶圆，设置在该第一晶圆上，并包括： 多个第二对准标记，设置在该多个第一对准标记上； 其中在顶视图中，该多个第二对准标记平行于该多个第一对准标记设置，且邻近该多个第一对准标记设置； 其中该多个第一对准标记与该多个第二对准标记包括一荧光材料； 其中该多个第一对准标记与该多个第二对准标记一起配置成一第一组对准标记。
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