长鑫存储技术有限公司张章获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利气体处理装置和半导体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310387004.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权气体处理装置和半导体处理装置是由张章;刘增华设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本气体处理装置和半导体处理装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种气体处理装置和半导体处理装置，气体处理装置包括壳体，壳体中具有容纳腔，壳体上设置有进气口和排气口，进气口和排气口连通至壳体的外部；容纳腔中具有连通的分离通道和收集腔，分离通道的一端与进气口连通，分离通道的另一端与收集腔连通，收集腔与排气口连通。分离通道可以有利于粉尘和气体之间的分离，从而提升粉尘的沉积效果，减少随气体进入真空泵的粉尘，从而降低粉尘对真空泵的影响。因此，本公开提供的气体处理装置和半导体处理装置，有利于粉尘和气体之间的分离，提升粉尘的沉积效果，减少随气体进入真空泵的粉尘，从而降低粉尘对真空泵的影响。
本发明授权气体处理装置和半导体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种气体处理装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体中具有容纳腔，所述壳体上设置有进气口和排气口，所述进气口和所述排气口连通至所述壳体的外部； 所述容纳腔中具有连通的分离通道和收集腔，所述分离通道的一端与所述进气口连通，所述分离通道的另一端与所述收集腔连通，所述分离通道的通道壁上具有间隔设置的多个分离孔，所述分离通道可分离气体和粉尘，所述收集腔与所述排气口连通。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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