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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种电离区变气压提升质谱线性动态范围的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111528185.X，技术领域涉及：H01J49/24；该发明授权一种电离区变气压提升质谱线性动态范围的装置和方法是由花磊;蒋吉春;李金旭;李函蔚;李海洋设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电离区变气压提升质谱线性动态范围的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电离区变气压提升质谱线性动态范围的装置，包括从上至下依次由隔板分隔的层叠设置的、密闭的电离源腔体、密闭的离子传输区腔体和密闭的质量分析器腔体；于电离源腔体侧壁上设置有气体出口，气体出口通过真空管路与多通道选控电磁阀相连；于电离源腔体内部设置有电离源；于离子传输区腔体和质量分析器腔体的侧壁上均分别开设有真空泵接口。电离区变气压提升质谱线性动态范围的方法通过计算机控制电离源的真空电磁阀自动调节电离源气压，选择合适的电离源气压，使质谱信号强度与样品气体中目标化合物的浓度处于线性响应区间范围，进而提升质谱线性动态范围。

本发明授权一种电离区变气压提升质谱线性动态范围的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种电离区变气压提升质谱线性动态范围的方法，其特征在于：所述电离区变气压提升质谱线性动态范围的装置，包括从上至下依次由隔板分隔的层叠设置的、密闭的电离源腔体101、密闭的离子传输区腔体102和密闭的质量分析器腔体103；电离源腔体101和离子传输区腔体102之间以及离子传输区腔体102和质量分析器腔体103之间的隔板均设置有离子通孔；于电离源腔体101侧壁上设置有气体出口，气体出口通过真空管路与多通道选控电磁阀107相连；于电离源腔体101内部设置有电离源106；于离子传输区腔体102和质量分析器腔体103的侧壁上均分别开设有真空泵接口； 多通道选控电磁阀107包括2个或3个以上内径处于1～100mm范围内的不同内径的、并联的真空管路，所有真空管路的进气口相互连通，构成多通道选控电磁阀107的入口端108，入口端108通过真空管路与电离源腔体101侧壁上设置的气体出口相连；所有真空管路的出气口相互连通，构成多通道选控电磁阀107的出口端109，出口端109通过真空管路与真空泵110相连；每个真空管路均由一个独立控制的真空电磁开关阀控制通断； 一气体进样毛细管104穿过电离源腔体101的外壁伸入电离源腔体101内部，将样品气体105引入电离源106中； 于离子传输区腔体102内部设置有离子传输透镜113；于质量分析器腔体103内部设置有质量分析器114，质量分析器114的离子信号输出端与数据采集卡112相连； 数据采集卡112和多通道选控电磁阀107的控制端分别通过信号线与计算机111相连，由计算机111控制数据采集卡112采集质量分析器114的质谱数据和多通道选控电磁阀107各真空电磁开关阀的通断； 采用上述装置实现电离区变气压提升质谱线性动态范围的方法，包括以下步骤： 1在多通道选控电磁阀107中选择性控制不同电磁开关阀的通断，在10-4～103mbar气压范围内设置一组包含2个或3个以上不同数值的电离源气压pi，其中任意两个电离源气压绝对值的比值气压绝对值较高者气压绝对值较低者≥2； 2在待测目标化合物的体积浓度范围10-12～10-1内，于每个浓度量级区间选择2个或3个以上的浓度点配制待测目标化合物的标准气体，其中任意两个标准气体中待测目标化合物浓度的比值≥2； 3将含有不同已知浓度待测目标化合物的标准气体经气体进样毛细管104通入电离源108内电离和质谱检测，分别在上述设置的每一个电离源气压pi下进行质谱分析，利用数据采集卡112记录当前电离源气压pi下待测目标化合物的质谱信号强度Yi和目标化合物质谱峰附近的基线噪声Ni，建立每一个电离源气压pi下目标化合物的质谱信号的信噪比YiNi信号强度Yi与噪声Ni的比值与其浓度c之间的浓度响应曲线以YiNi和浓度c分别为纵横坐标； 4根据上述建立的每一个电离源气压pi下目标化合物的浓度响应曲线，分别取线性范围YiNi＝ai*c+bi内的最小信噪比YiNi为气压调增阈值TLi，最大信噪比YiNi为气压调减阈值THi，其中TLi的大小在100～102，THi的大小在103～105； 5向气体进样毛细管104中通入待测样品气体105，通过控制多通道选控电磁阀107，使电离源工作在上述设置的任一电离源气压pi下，利用数据采集卡112连续实时监测当前电离源气压pi下待测目标化合物的质谱信号强度Si和目标化合物质谱峰附近的基线噪声Ni； 6计算目标化合物质谱信号的信噪比SiNi，若当SiNi≤TLi时，通过计算机111控制多通道选控电磁阀107，使电离源气压pi增大重复步骤5的过程；若当SiNi≥THi时，通过计算机111控制多通道选控电磁阀109，使电离源气压pi减小重复步骤5的过程；若当TLi＜SiNi＜THi时，根据上述建立当前电离源气压pi下的线性响应曲线对目标化合物进行定量分析。

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