复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司吴春蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利混合导通机制围栅晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211730768.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权混合导通机制围栅晶体管及其制作方法是由吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本混合导通机制围栅晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种混合导通机制围栅晶体管，包括围栅MOSFET器件、第二源区与第二漏区；围栅MOSFET器件包括衬底、第一源区以及第一漏区；第一源区与第一漏区中参杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，且第二源区、第二漏区的高度不低于第一源区和第一漏区之间的衬底的高度；第二漏区中掺杂有第一离子，第二源区中掺杂有第二离子。该技术方案解决了围栅MOSFET器件的底部寄生沟道电流泄漏的问题，并且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在传统围栅MOSFET器件的底部并联了隧穿场效应晶体管TFET器件结构，可以实现围栅沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，以获得更优的超陡开关特性。
本发明授权混合导通机制围栅晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种混合导通机制围栅晶体管，其特征在于，包括： 围栅MOSFET器件，包括衬底、第一源区以及第一漏区；所述第一源区与所述第一漏区沿第一方向排列；其中，所述第一源区与所述第一漏区中掺杂有第一离子；其中，所述第一方向表征了平行于所述衬底的方向； 第二源区与第二漏区，所述第二源区形成于所述衬底与所述第一源区之间，所述第二漏区形成于所述衬底与所述第一漏区之间，且所述第二源区、所述第二漏区的高度不低于第一源区和所述第一漏区之间的所述衬底的高度； 其中，所述第二漏区中掺杂有第一离子，所述第二源区中掺杂有第二离子，且所述第一离子的类型与所述第二离子的类型不同； 沟道层，形成于第一源区和所述第一漏区之间，且沿远离所述衬底的方向上间隔排列； 栅介质层与控制栅，所述栅介质层包裹部分所述沟道层的表面；所述控制栅包裹所述栅介质层的表面。
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