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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310068908.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法是由张希媛;史欣;杨涛;王聪聪设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体探测器技术领域，提供一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法，该SiC粒子探测器，包括：在N型有源区和P型SiC欧姆接触层之间设N型掺杂SiC作为N+增益层，控制所述N+增益层的掺杂浓度和厚度使所述SiC粒子探测器的增益达到14～18倍。该制备方法包括：在N型有源区和P型SiC欧姆接触层之间采用外延生长得到由N型掺杂SiC构成的N+增益层，且控制所述N+增益层的掺杂浓度和厚度得到的柔性低增益SiC粒子探测器的电荷收集效率增大且信噪比显著提升，另外，所采用的基底为云母基底可使本发明的SiC粒子探测器具备优异的弯曲性能，适用于大型曲面低增益SiC粒子探测器。

本发明授权一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低增益SiC粒子探测器，其特征在于，包括：在N型有源区和P型SiC欧姆接触层之间设N型掺杂SiC作为N+增益层，控制所述N+增益层的掺杂浓度和厚度使所述SiC粒子探测器的增益达到14~18倍； 所述SiC粒子探测器由下至上包括：第二金属电极、N型SiC欧姆接触层、N型有源区、N+增益层、P型SiC欧姆接触层和第一金属电极； 所述N+增益层的掺杂离子为N3-，其掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1018cm-3，厚度为0.1μm~1.0μm； 在所述N型有源区和所述N+增益层之间设N+电荷控制层； 所述N+电荷控制层为N型掺杂SiC，掺杂离子为N3-，掺杂浓度为1×1017~4×1017cm-3，厚度为0.1μm~0.2μm； 所述N+增益层为N型掺杂SiC，掺杂离子为N3-，掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1017cm-3； 所述N型有源区的掺杂离子为N3-，掺杂浓度为1×1013cm-3~1×1014cm-3。

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