先进半导体材料(深圳)有限公司韩浩获国家专利权
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龙图腾网获悉先进半导体材料(深圳)有限公司申请的专利引线框架的瑕疵检测方法及基于标准引线框架的检测模板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116203036B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111455412.0,技术领域涉及:G01N21/95;该发明授权引线框架的瑕疵检测方法及基于标准引线框架的检测模板是由韩浩;温明;何志聪;陈达志设计研发完成,并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本引线框架的瑕疵检测方法及基于标准引线框架的检测模板在说明书摘要公布了:一种引线框架的瑕疵检测方法及基于标准引线框架的检测模板,其中,瑕疵检测方法包括:提供标准引线框架,所述标准引线框架包括重复且呈阵列排布的多个标准单元;获取所述标准引线框架的源图像;当所述标准引线框架具有预设属性时,根据所述标准引线框架的源图像建立第一检测模板;提供待测引线框架,所述待测引线框架包括分别与所述标准引线框架的多个标准单元对应的多个待测单元;获取所述待测引线框架的源图像;根据所述第一检测模板和待测引线框架的源图像,对所述多个待测单元进行瑕疵检测。从而,提高了对引线框架进行瑕疵检测时的准确度,降低了检测引线框架瑕疵时的过杀。
本发明授权引线框架的瑕疵检测方法及基于标准引线框架的检测模板在权利要求书中公布了:1.一种引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,包括: 提供标准引线框架,所述标准引线框架包括重复且呈阵列排布的多个标准单元,所述阵列排布的行方向为所述标准引线框架的宽度方向,所述阵列排布的列方向为所述标准引线框架的长度方向; 获取所述标准引线框架的源图像; 当所述标准引线框架具有预设属性时,根据所述标准引线框架的源图像建立第一检测模板,所述第一检测模板包括:第一模板图像和第一预设单元偏差范围,所述第一模板图像至少包括1行标准图像,所述标准图像是无瑕疵的标准单元的源图像,所述第一预设单元偏差范围同时对应每个标准图像; 提供待测引线框架,所述待测引线框架包括分别与所述标准引线框架的多个标准单元对应的多个待测单元; 获取所述待测引线框架的源图像; 根据所述第一检测模板和待测引线框架的源图像,对所述多个待测单元进行瑕疵检测,所述瑕疵检测的方法包括:根据所述待测引线框架的源图像中任一待测单元的源图像在行方向上的位置,在所述第一模板图像中,获取在行方向上位于相同位置的标准图像作为指定标准图像;根据所述任一待测单元的源图像、所述指定标准图像和所述第一预设单元偏差范围,检测所述任一待测单元的瑕疵; 当所述标准引线框架不具有所述预设属性时,根据所述标准引线框架的源图像建立第二检测模板,所述第二检测模板包括:1个标准图像、以及与所述1个标准图像对应的第二预设单元偏差范围; 根据所述第二检测模板和所述待测引线框架的源图像,对每个待测单元进行瑕疵检测; 所述预设属性包括:所述标准引线框架的厚度在预设最小厚度以下、所述标准引线框架的宽度在预设最大宽度以上、所述标准引线框架的密度在预设最大密度以上、以及所述标准引线框架在行方向上的刚性在预设最小刚性以下中的一者或多者。
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