中国科学院大连化学物理研究所章福祥获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种基于萘四二酰亚胺的金属有机框架半导体材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116178739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211612702.6，技术领域涉及：C08G83/00；该发明授权一种基于萘四二酰亚胺的金属有机框架半导体材料及其制备方法和应用是由章福祥;贾春梅;郭向阳;王一钧设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于萘四二酰亚胺的金属有机框架半导体材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于金属有机框架材料及电催化材料技术领域，特别是涉及一种基于1,4,5,8‑萘四甲酰基二酰亚胺的金属有机框架半导体材料及其制备方法和应用。所述材料用式MPy‑NDI2Cl2表示，其中M＝Co、Ni；所述材料为单晶材料，具有二维层状结构，属于单斜晶系，p21c空间群，节点为M‑N4结构，一个MII与两个氯离子以及四个配体中吡啶基团配位，所述二维层状结构由AB堆叠形成3D的M‑cMOF单晶结构，层间距本发明制备的金属有机框架半导体材料合成步骤简单，所需条件温和，获得的二维片状结构的单晶材料具有高的电导率，高稳定性，高效的电催化氧还原活性。
本发明授权一种基于萘四二酰亚胺的金属有机框架半导体材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种气体扩散电极的制备方法，其特征在于，将金属有机框架半导体材料通过研磨，超声分散于Nafion的乙醇溶液中，再负载到碳材料上，得到气体扩散电极； 所述金属有机框架半导体材料用式MNDI2Cl2表示，其中M=Co、Ni；所述材料为单晶材料，具有二维层状结构，属于单斜晶系，p21c空间群，节点为M-N4结构，一个MII与两个氯离子以及四个配体中吡啶基团配位，所述二维层状结构由AB堆叠形成3D的M-cMOF单晶结构，层间距3.35Å； 所述金属有机框架半导体材料的制备方法为：以N,N'-二3-甲基吡啶基-1,4,5,8-萘四甲二亚胺为桥联配体，二价金属M离子作为金属节点，通过溶剂扩散法合成具有M-N4的金属有机框架半导体材料；其合成路线为： MCl2·6H2O+3-NDI-Py→MNDI2Cl2。
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