绍兴中芯集成电路制造股份有限公司何隽获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211678795.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置是由何隽设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该器件包括：半导体衬底；漂移区设置在半导体衬底中；体区设置在半导体衬底中，并与漂移区间隔设置；场氧化层设置在漂移区内，其中场氧化层包括场氧区和位于场氧区一端的鸟嘴区，鸟嘴区靠近体区，场氧区远离体区；栅极结构覆盖部分场氧化层并自场氧化层向外延伸至覆盖部分体区的表面，其中，栅极结构包括栅极层，栅极层包括位于场氧区上的第一栅极层和位于体区上以及鸟嘴区上的第二栅极层，第一栅极层为未掺杂的栅极层，至少部分第二栅极层为掺杂的栅极层。
本发明授权一种LDMOS功率器件及其制造方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS功率器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 漂移区，设置在所述半导体衬底中； 体区，设置在所述半导体衬底中，并与所述漂移区间隔设置； 场氧化层，设置在所述漂移区内，其中所述场氧化层包括场氧区和位于场氧区一端的鸟嘴区，所述鸟嘴区靠近所述体区，所述场氧区远离所述体区； 栅极结构，覆盖部分所述场氧化层以及覆盖部分所述体区的表面，其中，所述栅极结构包括栅极层，所述栅极层包括位于所述场氧区上的第一栅极层和位于所述体区上以及所述鸟嘴区上的第二栅极层，所述第一栅极层为未掺杂的栅极层，所述第一栅极层大体上为介质状态，所述第一栅极层和所述场氧区以及所述场氧区下方的漏极不构成MOS电容，从而减小器件的米勒电容，至少部分所述第二栅极层为掺杂的栅极层。
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