重庆大学杨庆获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116125123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310041219.5,技术领域涉及:G01R19/00;该发明授权一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法是由杨庆;柯锟;廖伟;邱震辉设计研发完成,并于2023-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法,包括:在被测设备周围选择参考点,将被测设备和参考点之间的铅垂线作为被测电场的积分区间[0,H],并对积分区间[0,H]的积分上限H和积分下限0进行归一化处理,得到归一化的积分节点位置;基于归一化的积分节点位置,将积分区间[0,H]划定为弱场区[0,kH]和强场区[kH,H],选定强场区舍弃弱场区,将强场区作为有效积分区间;在有效积分区间上布置电场传感器阵列;获取传感器阵列在有效积分区间上的电场强度,采用电场积分法确定被测设备的电压。本发明在测量过程中能够提高数据的有效度,大幅度降低其它不利因素的影响,进而可以对被测设备对象的电压值进行精准测量。
本发明授权一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法在权利要求书中公布了:1.一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法,其特征在于,所述方法包括: S1,在被测设备周围选择参考点,将所述被测设备和所述参考点之间的铅垂线作为被测电场的积分区间[0,H],并对所述积分区间[0,H]的积分上限H和积分下限0进行归一化处理,得到归一化的积分节点的位置,其中,所述积分区间的积分上限H和积分下限0分别是所述被测设备和所述参考点到地面的铅垂距离; S2,基于归一化的积分节点的位置,将所述积分区间[0,H]划定为弱场区[0,kH]和强场区[kH,H],选定强场区舍弃弱场区,将所述强场区作为有效积分区间,其中,所述强场区表示靠近所述被测设备的积分区域,所述弱场区表示远离所述被测设备的积分区域,k表示划分因子; S3,在所述有效积分区间上布置电场传感器阵列,所述电场传感器阵列中的各个电场传感器均布置于被测设备和参考点之间的铅垂线上,其中,一个电场传感器测量所述有效积分区间内一个积分节点处的电场强度; S4,获取所述传感器阵列在所述有效积分区间上的电场强度,采用电场积分法确定被测设备的电压,VH=∫Exdx,其中,Ex表示测量的离地面距离为x的积分节点处的电场强度;其中, 5 式中,L1和L2分别表示所述弱场区和所述强场区; 基于归一化的积分节点的位置,将上式5进行转化: 6 其中,所述强场区内积分节点的位置,,m表示所述强场区内积分节点的数量,i表示所述强场区内第i个积分节点; 式中,,; 其中,Ai表示所述强场区内第i个积分节点的权重系数,表示所述强场区内第i个积分节点的位置。
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