力晶积成电子制造股份有限公司黄凯隽获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利动态随机存取存储器结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111385118.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器结构及其制造方法是由黄凯隽设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种动态随机存取存储器结构，包括基底、埋入式字线结构、位线结构、接触窗、多个间隙壁与接垫。埋入式字线结构位于基底中。位线结构位于埋入式字线结构的一侧的基底上。接触窗位于埋入式字线结构的另一侧的基底上。间隙壁位于接触窗的两侧。接垫位于接触窗上，且位于相邻两个间隙壁之间。
本发明授权动态随机存取存储器结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括： 提供基底； 在所述基底中形成埋入式字线结构； 在所述埋入式字线结构的一侧的所述基底上形成位线结构； 在所述埋入式字线结构的另一侧的所述基底上形成接触窗； 在所述接触窗的两侧形成多个第一间隙壁；以及 在所述接触窗上形成接垫，其中所述接垫位于相邻两个所述第一间隙壁之间； 其中所述接触窗的形成方法包括： 在所述基底上形成牺牲层； 在所述牺牲层中形成多个第一开口； 在多个所述第一开口中形成多个第二间隙壁； 移除所述牺牲层，而形成第二开口，且暴露出所述基底；以及 在所述第二开口中形成所述接触窗，其中所述接触窗的顶面的高度低于所述第二间隙壁的顶面的高度，而形成第一凹陷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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