晶元光电股份有限公司刘家铭获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211361128.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光元件是由刘家铭;欧震;戴俊杰;王士玮;杨智乔;黄锋文;胡殿英;叶育翔设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光元件，其包含一n型氮化物半导体结构；一应力释放结构位于n型氮化物半导体结构上，包含多个窄能隙层与多个宽能隙层交替堆叠，其中多个宽能隙层之一包含多个宽能隙子层且多个宽能隙子层的至少一个包含Als6Ga1‑s6N；一活性结构位于应力释放结构上，包含多个量子阱层与多个障壁层交替堆叠，其中多个障壁层之一包含多个障壁子层且多个障壁子层的至少一个包含Als8Ga1‑s8N，宽能隙子层的绝对铝组成大于或等于障壁子层的绝对铝组成，且宽能隙层的平均铝组成大于障壁层的平均铝组成；一电子阻挡结构位于活性结构上；以及一p型氮化物半导体结构位于电子阻挡结构上。
本发明授权发光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包含： n型氮化物半导体结构； 应力释放结构，位于该n型氮化物半导体结构上，包含多个窄能隙层与多个宽能隙层交替堆叠，其中该多个宽能隙层的其中之一包含第一宽能隙子层与第二宽能隙子层； 活性结构，位于该应力释放结构上，包含多个量子阱层与多个障壁层交替堆叠，其中该多个障壁层的其中之一包含第一障壁子层与第二障壁子层； 电子阻挡结构，位于该活性结构上；以及 p型氮化物半导体结构，位于该电子阻挡结构上； 其中，该第一宽能隙子层的绝对铝组成大于或等于该第一障壁子层的绝对铝组成；以及 其中，该第一宽能隙子层及该第二宽能隙子层的能隙大于该多个窄能隙层的任一的能隙； 其中，该第一宽能隙子层的绝对铝组成大于该第二宽能隙子层的绝对铝组成，且该第一障壁子层的绝对铝组成大于该第二障壁子层的绝对铝组成。
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