买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111291374.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法是由刘辉;曾春红;董志华;张宝顺;孙玉华;崔奇设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层，以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽；其中，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分沿远离所述器件结构层表面的方向依次设置，所述第一部分的侧壁垂直于所述器件结构层表面设置，所述第二部分的侧壁与所述器件结构层表面形成大于30且小于60°的夹角，以及，所述第二部分的底面为凹槽底壁，且所述凹槽底壁平行于所述器件结构层表面设置。本发明中的锥形栅MOSFET器件结构，反向击穿电压高，正向导通性能好。

本发明授权一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种锥形栅MOSFET器件结构，包括： 器件结构层，包括依次设置在衬底11第一表面的漂移区10和基区5，所述基区5上设置有第一欧姆接触区4和第二欧姆接触区3，所述衬底11、漂移区10、第一欧姆接触区4均为第一导电类型，所述基区5、第二欧姆接触区3均为第二导电类型，所述衬底11为碳化硅衬底； 与所述器件结构层配合的源极2、漏极12和栅极1，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极1配合的凹槽13； 填充在所述凹槽13内的多晶硅7，所述栅极1设置于多晶硅7上； 设置在所述多晶硅7和所述凹槽13之间的栅介质层8； 其特征在于：所述凹槽13包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分沿远离所述器件结构层表面的方向依次设置，所述第二部分设置在漂移区10内，所述第一部分的侧壁垂直于所述器件结构层表面设置，所述第二部分的侧壁与所述器件结构层表面形成大于30且小于60°的夹角，所述第二部分的底面为凹槽底壁，且所述凹槽底壁平行于所述器件结构层表面设置； 所述栅介质层8具有第一区域、第二区域和第三区域，其中第一区域设置在凹槽13的第一部分的侧壁上，第二区域设置在凹槽13的第二部分的侧壁上，第三区域设置在凹槽13的第二部分的底面上，且第一区域的厚度＜第二区域的厚度＜第三区域的厚度； 所述漂移区10和基区5之间设置有第一导电类型的电流扩展层6，所述漂移区10内还设置有屏蔽层9，所述屏蔽层9设置在所述凹槽13和衬底11之间，并位于所述凹槽13的两侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。