长鑫存储技术有限公司樊贝贝获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115963710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310014488.2，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质是由樊贝贝设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开是关于一种套刻误差修正方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域，可以应用于套刻误差标识损坏的情况下修正套刻误差的场景。该方法包括：获取当前批次晶圆，确定当前批次晶圆对应的多个对准标记以及各对准标记的套刻误差与套刻误差偏差；基于套刻误差与套刻误差偏差确定各对准标记的标记质量值；基于标记质量值，对多个对准标记进行筛选，确定出目标对准标记；基于目标对准标记，确定当前批次晶圆对应的误差修正结果，以基于误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理。本公开可以基于未被破坏的目标对准标记确定套刻误差，从而有效控制工艺制程中产生的套刻误差。
本发明授权套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差修正方法，其特征在于，包括： 获取当前批次晶圆，确定所述当前批次晶圆对应的多个对准标记，以及各所述对准标记对应的套刻误差与套刻误差偏差； 基于各所述对准标记的套刻误差与套刻误差偏差，确定各所述对准标记对应的标记质量值，包括：确定各所述对准标记对应的套刻误差；基于所述套刻误差，确定各所述对准标记对应的套刻误差偏差与套刻误差偏差标准差；根据所述套刻误差、所述套刻误差偏差与所述套刻误差偏差标准差，确定所述标记质量值； 所述标记质量值； 其中，MQ表示所述对准标记的标记质量值，OVL表示所述对准标记的套刻误差，Qmerit表示所述对准标记的套刻误差偏差，Qmeritδ²表示所述对准标记的套刻误差偏差标准差； 基于确定出的所述标记质量值，对多个所述对准标记进行筛选，确定出目标对准标记； 基于所述目标对准标记，确定所述当前批次晶圆对应的误差修正结果，以基于所述误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理。
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