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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利具有鳍式栅的HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211658990.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有鳍式栅的HEMT器件是由吴龙江设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有鳍式栅的HEMT器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种具有鳍式栅的HEMT器件，其包括半导体衬底、缓冲层、多层第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、鳍片、第一栅极、漏极610和源极。通过将第一氮化镓通道层与第二氮化镓通道层之间的鳍片的宽度设置为沿鳍片的长度逐渐减小，由第一栅极即可控制鳍片的短边处的二维电子气，从而可以彻底断开源极与漏极之间的连接。同时，由于鳍片的长边处的导通电阻大于鳍片的短边处的导通电阻，因此，与传统的宽度保持一致的鳍片相比，本申请的鳍片的既可以通过鳍片的短边实现对整个HEMT器件的通断的控制，也可以通过鳍片的长边使HEMT器件获得较小的导通电阻。

本发明授权具有鳍式栅的HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有鳍式栅的HEMT器件，其特征在于，包括： 半导体衬底和设于所述半导体衬底上的缓冲层； 多层第一氮化镓通道层，依次层叠设于所述缓冲层上； 多层第二氮化镓通道层，依次层叠设于所述缓冲层上，且与多层所述第一氮化镓通道层一一对应； 鳍片，设于所述第一氮化镓通道层与所述第二氮化镓通道层之间的所述缓冲层上，所述鳍片的两端分别与所述第一氮化镓通道层和所述第二氮化镓通道层接触，用于将每层所述第一氮化镓通道层与每层所述第二氮化镓通道层一对一地连接； 第一栅极，覆盖在所述鳍片的表面，且位于所述第一氮化镓通道层与所述第二氮化镓通道层之间，用于控制所述鳍片中的二维电子气的通断； 其中，所述鳍片的宽度沿所述鳍片的长度逐渐减小，所述第一栅极用于在所述第一栅极被施加零电压的情况下，耗尽所述鳍片的短边的二维电子气； 漏极，设于所述缓冲层上；其中，所述漏极与所述鳍片分别位于所述第二氮化镓通道层的两侧； 源极，设于所述缓冲层上；其中，所述源极与所述鳍片分别位于所述第一氮化镓通道层的两侧； 所述第一氮化镓通道层和所述第二氮化镓通道层之间设有多个所述鳍片； 多个所述鳍片交错设置在所述第一氮化镓通道层和所述第二氮化镓通道层之间，所述鳍片的短边和相邻的所述鳍片的长边位于同一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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