铠侠股份有限公司右田达夫获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储晶圆以及存储晶圆的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115943463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103287.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储晶圆以及存储晶圆的制造方法是由右田达夫设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储晶圆以及存储晶圆的制造方法在说明书摘要公布了：使晶圆上的合格芯片的比例增加。一个实施方式的存储晶圆具备：第1半导体71W；第1元件层72W，设置在第1半导体的上表面上；第1焊盘11a，设置在第1元件层的第1区域的上表面上；第2焊盘11a，设置在第1元件层的与第1区域不同的第2区域的上表面上；粘接膜73，设置在包括第2焊盘的第1元件层的第2区域的上表面上；第2半导体74，设置在粘接膜的上表面上；第2元件层75，设置在第2半导体的上表面上；以及第3焊盘11b，设置在第2元件层的上表面上。
本发明授权存储晶圆以及存储晶圆的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储晶圆，其特征在于，具备： 支承体，由玻璃基板或者环形带构成； 第1粘接膜以及第2粘接膜，分别在所述支承体的上表面上相互分离设置； 第1半导体，设置在所述第1粘接膜的上表面上； 第1元件层，设置在所述第1半导体的上表面上； 第1焊盘，设置在所述第1元件层的上表面上； 第2半导体，设置在所述第2粘接膜的上表面上； 第2元件层，设置在所述第2半导体的上表面上；以及 第2焊盘，设置在所述第2元件层的上表面上， 所述第1元件层包括与所述第1焊盘电连接的第1存储芯片单元，该第1存储芯片单元是从第1晶圆切割出的存储芯片单元中被判定为合格品的存储芯片单元中的存储容量为规定容量以上的存储芯片单元， 所述第2元件层包括与所述第2焊盘电连接并且与所述第1焊盘电绝缘的第2存储芯片单元，该第2存储芯片单元是从与所述第1晶圆不同的第2晶圆切割出的存储芯片单元中被判定为合格品的存储芯片单元中的存储容量为规定容量以上的存储芯片单元。
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