豪雅株式会社宍户博明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉豪雅株式会社申请的专利掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180049300.7，技术领域涉及：G03F1/54；该发明授权掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法是由宍户博明;野泽顺设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板1的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜2、第1硬掩模膜3、第2硬掩模膜4，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。
本发明授权掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模坯料，其具有以下结构：在基板的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜、第1硬掩模膜、第2硬掩模膜， 所述图案形成用薄膜含有过渡金属， 所述第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素， 所述第2硬掩模膜含有过渡金属， 所述第2硬掩模膜的过渡金属的含量比所述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少， 所述主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有所述图案形成用薄膜的区域小， 所述第2硬掩模膜与所述图案形成用薄膜至少部分地相接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人豪雅株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励