复旦大学;湖北江城实验室徐航获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学;湖北江城实验室申请的专利一种雪崩光电二极管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211627567.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种雪崩光电二极管器件及其制备方法是由徐航;杨雅芬;朱颢;张卫设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种雪崩光电二极管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。
本发明授权一种雪崩光电二极管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电二极管器件，其特征在于， 包括： 硅衬底； 在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，用于抑制光子在衬底中的扩散，减小损耗区体积，从而提高响应时间，在其上方形成有P-区； 在P-区上部的一侧形成P+区，在P-区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区，用于缓解PN+结边缘击穿，使雪崩倍增集中于PN+结； 源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触； 氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。
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