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龙图腾网获悉南京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管器件及制造方法、显示基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110948068.2，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权薄膜晶体管器件及制造方法、显示基板是由杨金玲;黄洪涛;曹焜;程一鸣;王梅设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管器件及制造方法、显示基板在说明书摘要公布了：本公开提供了一种薄膜晶体管器件及其制造方法、显示基板，所述薄膜晶体管器件包括：衬底；位于所述衬底之上的栅极、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层为多膜层堆叠结构，包括堆叠设置的至少一层第一氧化物半导体层和至少一层第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的组分配比与所述第二氧化物半导体层的组分配比不同；其中第二氧化物半导体层能够提升膜层稳定性的元素相对第一氧化物半导体层所占比例高，第一氧化物半导体层中自由电子较多的元素相对所述第二氧化物半导体层所占比例高。本公开实施例提供的薄膜晶体管器件及其制造方法、显示基板，能够在一定光照条件下光电流表现出急剧增大的现象，可作为一种有效的光敏传感器。

本发明授权薄膜晶体管器件及制造方法、显示基板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管器件，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅极、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层为多膜层堆叠结构，包括堆叠设置的至少一层第一氧化物半导体层和至少一层第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的组分配比与所述第二氧化物半导体层的组分配比不同；其中第二氧化物半导体层能够提升膜层稳定性的元素相对第一氧化物半导体层所占比例高，第一氧化物半导体层中自由电子较多的元素相对所述第二氧化物半导体层所占比例高； 所述第一氧化物半导体层为第一铟镓锌锡氧化物层； 所述第二氧化物半导体层为第二铟镓锌锡氧化物层；其中， 所述第一铟镓锌锡氧化物层中铟元素的原子百分比大于所述第二铟镓锌锡氧化物层中铟元素的原子百分比； 所述第二铟镓锌锡氧化物层中镓元素的原子百分比大于所述第一铟镓锌锡氧化物层中镓元素的原子百分比；和或， 所述第二铟镓锌锡氧化物层中锌元素的原子百分比大于所述第一铟镓锌锡氧化物层中锌元素的原子百分比；和或， 所述第二铟镓锌锡氧化物层中锡元素的原子百分比大于所述第一铟镓锌锡氧化物层中锡元素的原子百分比； 所述第一铟镓锌锡氧化物层的组分配比为：In：Ga：Zn：Sn=1：0.2~0.4：1.6~2.2：0.3~0.5； 所述第二铟镓锌锡氧化物层的组分配比为：In：Ga：Zn：Sn为=1：4.5~5.1：3.3~3.9：0.9~1.3。

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