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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利基于RRAM器件的存算一体电路及存算一体数据处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115762601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211500817.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权基于RRAM器件的存算一体电路及存算一体数据处理方法是由黄天辉;陈瑞隆;尹家宇;苏文杰设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于RRAM器件的存算一体电路及存算一体数据处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及数据处理领域，具体涉及一种基于RRAM器件的存算一体电路及存算一体数据处理方法，所述基于RRAM器件的存算一体电路包括多个级联的存算一体单元，所述存算一体单元包括：RRAM存储阵列，用于对多个仿真电压信号进行仿真运算，得到模拟电流信号；积分器，与所述RRAM存储阵列连接，用于对所述模拟电流信号进行积分处理并输出为电压信号；电压缓冲电路模块，与所述积分器连接，用于接收所述积分器发送的电压信号并将其传输至下一级存算一体单元的RRAM存储阵列或输出至模数转换器。所述电路通过在各级存算一体单元中设置电压缓冲电路模块，能够避免数据处理中过多的模数转换导致量化误差大的问题，提高神经网络电路的准确度。

本发明授权基于RRAM器件的存算一体电路及存算一体数据处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基于RRAM器件的存算一体电路，其特征在于，包括多个级联的存算一体单元，所述存算一体单元包括： RRAM存储阵列，用于对多个仿真电压信号进行仿真运算，得到模拟电流信号； 积分器，与所述RRAM存储阵列连接，用于对所述模拟电流信号进行积分处理并输出为电压信号； 电压缓冲电路模块，与所述积分器连接，用于接收所述积分器发送的电压信号并将其传输至下一级存算一体单元的RRAM存储阵列或输出至模数转换器；所述电压缓冲电路模块包括：级联的反相器10和反相器11，依次连接至所述反相器10输出端的晶体管M8和晶体管M5，以及依次连接至所述反相器11输出端的晶体管M7和晶体管M6，所述反相器10的输入端与所述积分器连接；其中，在所述反相器10输入低电平信号时通过晶体管M8输出低电平信号及通过晶体管M6输出高电平信号，在所述反相器10输入高电平信号时通过晶体管M7输出低电平信号及通过晶体管M5输出高电平信号。

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