武汉新芯集成电路制造有限公司李江风获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利一种加热基座以及半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211339100.8，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权一种加热基座以及半导体设备是由李江风;龙俊舟;王力设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种加热基座以及半导体设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种加热基座以及半导体设备，加热基座包括第一承载部和第二承载部；具体的，第一承载部用于承载待加工对象，并用于在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热待加工对象；第二承载部的至少部分环绕第一承载部设置；其中，第二承载部中设置有冷却装置，以在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，对第二承载部进行降温处理，避免制程气体在第二承载部表面进行反应从而在第二承载部的表面形成沉积物，从而降低清理频率，提高加热基座使用寿命，并能够提高半导体设备的利用率。
本发明授权一种加热基座以及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种加热基座，应用于半导体设备，其特征在于，包括： 第一承载部，用于承载待加工对象，并用于在对所述待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热所述待加工对象； 第二承载部，其中，所述第二承载部的至少部分环绕所述第一承载部设置；且所述第二承载部还用于承载转移件，所述转移件用于转移所述待加工对象； 其中，所述第二承载部中设置有冷却装置，以在对所述待加工对象进行薄膜沉积处理时，对所述第二承载部以及所述转移件进行降温处理，避免制程气体在所述第二承载部表面以及所述转移件表面进行反应； 其中，所述第一承载部内还设置有温度侦测装置，所述温度侦测装置用于侦测所述第一承载部和或所述待加工对象上的温度。
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