南京工业大学刘国振获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种插层MXene分离膜、制备方法以及在H2/CO2分离中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115738612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211136854.3，技术领域涉及：B01D53/22；该发明授权一种插层MXene分离膜、制备方法以及在H2/CO2分离中的应用是由刘国振;刘公平;金万勤设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种插层MXene分离膜、制备方法以及在H2/CO2分离中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种室温下通过原位合成的MOF‑801@MXene纳米片作为构筑单元从而构建出具有显著增强的渗透性和选择性的MOF@MXene膜。本方法通过带负电的MXene纳米片可以通过静电相互作用从周围锚定Zr金属离子，然后在室温下与配体配位，从而在MXene纳米片上均匀生长出MOF‑801晶体。然后在多孔有机基材表面上将所合成的MOF‑801@MXene纳米片进行真空抽滤制膜。由于MOF‑801晶体可以为H2分子提供更多的传输通道，并对CO2分子具有高吸附能力以阻止其扩散，因此所制备膜显示出优异的气体分离性能，H2CO2选择性为26.6。
本发明授权一种插层MXene分离膜、制备方法以及在H2/CO2分离中的应用在权利要求书中公布了：1.一种插层MXene分离膜在H2CO2分离中的应用，插层MXene分离膜包括有MXene二维纳米片，其特征在于，还包括分布于纳米片之间的片层中的MOF-801晶体，且MOF-801晶体附着于至少一层MXene二维纳米片的表面；所述的MOF-801晶体是通过原位合成的方式附着于MXene二维纳米片的表面；层间通道间距0.35-0.40nm； 插层MXene分离膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，配制含有富马酸、ZrOCl2和MXene纳米片的混合溶液，搅拌反应，使在MXene纳米片的表面生成MOF-801晶体，获得制膜液； 步骤2，制膜液通过抽吸的方式在基底上使负载有MOF-801晶体的MXene纳米片负载后，干燥处理，得到插层MXene分离膜。
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