美光科技公司P·纳拉亚南获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110755891.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法是由P·纳拉亚南设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述第一层包括掺杂二氧化硅，且所述第二层包括未掺杂二氧化硅。将水平拉长的沟槽形成到所述堆叠中。穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅。传导材料形成于所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中。公开了独立于方法的结构。
本发明授权集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成集成电路系统的方法，其包括： 形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述第一层包括掺杂二氧化硅，所述第二层包括未掺杂二氧化硅； 将水平拉长的沟槽形成到所述堆叠中； 穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅；以及 在所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中形成传导材料，其中所述堆叠包括第一区和所述第一区旁边的第二区，所述蚀刻和在所述空隙空间中所述形成传导材料发生在所述第一区中而不是所述第二区中，使得所述第一层中的所述掺杂二氧化硅和所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅在所述集成电路系统的成品构造中保持在所述第二区中。
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