株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会弗雷德里克·瓦龙获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会申请的专利三维电容性结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113661581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080027445.2，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权三维电容性结构及其制造方法是由弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希;中川博;岩地直树;久伊·帕拉特设计研发完成，并于2020-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维电容性结构及其制造方法在说明书摘要公布了：三维电容性结构150可以通过在多孔阳极氧化物的区域152a中的孔151上方共形地形成电容性堆叠153至155来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层159的导电层158、159的堆叠上。在孔中，非常接近于孔底部存在具有受限直径D的位置P。在阳极氧化物的区域152a中的第一百分比的孔中，形成电容性堆叠153至155的功能部分F，以便延伸到孔中，不超过直径受限的位置P。可能存在于抗阳极氧化层159中的裂纹对电容性结构的特性具有降低的影响。可以容忍抗阳极氧化层159的厚度增加，使得整个电容性结构的等效串联电阻能够降低。
本发明授权三维电容性结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容性结构150，包括： 提供导电的互连层158的基板； 形成在所述互连层158上方并且与所述互连层电接触的抗阳极氧化层159； 形成在所述抗阳极氧化层159上的多孔阳极氧化物的区域152a，多个细长孔151穿过所述多孔阳极氧化物的区域，所述多个细长孔151在所述抗阳极氧化层159与所述阳极氧化物的远离所述基板的表面156之间延伸；以及 层的电容性堆叠，所述层包括下导电层153、第一绝缘体层154和上导电层155，所述堆叠共形地形成在所述多孔阳极氧化物的区域152a中的所述孔151上方，并且所述下导电层153与所述抗阳极氧化层159电接触； 其中，所述孔151沿其长度具有孔直径受限的位置； 其特征在于，在所述多孔阳极氧化物的区域的第一非零百分比的所述孔151中，所述堆叠的所述上导电层155延伸到所述孔中，不超过所述孔直径受限的位置。
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