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龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利VDMOS器件、控制电路、电池管理芯片及电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112072757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011024951.4，技术领域涉及：H02J7/60；该发明授权VDMOS器件、控制电路、电池管理芯片及电设备是由乔明;陈勇;张发备;周号设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本VDMOS器件、控制电路、电池管理芯片及电设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种VDMOS器件，用于控制电池的充电电流与放电电流，包括：衬底，为第一导电类型；外延层，设置在衬底上并且为第一导电类型；第一元胞结构区，包括形成在外延层中的元胞结构，以构成用作充电开关的充电MOSFET；第二元胞结构区，包括形成在外延层中的元胞结构，以构成用作放电开关的放电MOSFET；以及第三元胞结构区，包括形成在外延层中的元胞结构，以构成采样MOSFET，采样MOSFET用于采集流过充电MOSFET和放电MOSFET的电流。本公开还提供了一种控制电路、电池管理芯片及电设备。

本发明授权VDMOS器件、控制电路、电池管理芯片及电设备在权利要求书中公布了：1.一种充放电控制电路，所述控制电路包括VDMOS器件，用于控制电池的充电电流与放电电流，其特征在于，所述VDMOS器件包括： 衬底，所述衬底为第一导电类型； 外延层，所述外延层设置在所述衬底上并且为第一导电类型； 第一元胞结构区，所述第一元胞结构区包括形成在所述外延层中的元胞结构，以构成充电MOSFET； 第二元胞结构区，所述第二元胞结构区包括形成在所述外延层中的元胞结构，以构成放电MOSFET；以及 第三元胞结构区，所述第三元胞结构区包括形成在所述外延层中的元胞结构，以构成采样MOSFET，所述采样MOSFET用于采集流过所述充电MOSFET和所述放电MOSFET的电流； 第三元胞结构区中元胞结构的数量与所述第一元胞结构区和第二元胞结构区中的元胞结构的数量的比例为1：K，其中K≥2； 所述控制电路通过第一连接端和第二连接端为所述电池进行充电和放电，所述充电MOSFET和放电MOSFET构成充放电开关串联在所述电池与所述第一连接端之间的或者所述电池与第二连接端之间的电流路径上； 所述控制电路还包括： 比较单元，所述比较单元的第一输入端连接于检测单元的第一端，所述比较单元的第二输入端连接于所述充放电开关的第一端，所述检测单元的第二端与所述充放电开关的第二端连接；以及 控制逻辑单元，所述控制逻辑单元根据所述比较单元所输出的比较结果来对充电MOSFET和放电MOSFET进行控制； 所述第三元胞结构区及所述采样MOSFET的数量为一个，并且所述采样MOSFET的源极构造成与所述充电MOSFET的源极或与所述放电MOSFET的源极相连，所述采样MOSFET的漏极构造成充电电流或放电电流的采样端； 所述VDMOS器件还包括阱电阻结构来构成阱电阻，所述阱电阻的一端构造成与所述采样MOSFET的源极相连，并且所述阱电阻的另一端构造成与所述放电MOSFET的源极或与所述充电MOSFET的源极相连，所述阱电阻的一端构造成放电电流或充电电流的采样端；所述采样MOSFET和所述阱电阻构成所述控制电路的检测单元； 所述阱电阻的阻值远小于所述采样MOSFET的导通阻抗； 流经所述充放电开关的电流与流经所述检测单元的电流之间的电流比值独立于系统电压及系统温度。

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