三星电子株式会社石敬林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910676642.6，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法是由石敬林设计研发完成，并于2019-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体封装件的方法，可包括：形成下部再分布层；在所述下部再分布层的一部分上形成堆叠体，以及在所述下部再分布层的顶表面上堆叠半导体芯片。所述堆叠体的形成可以包括：涂覆光可成像电介质材料以在所述下部再分布层的顶表面上形成第一绝缘层，形成第一通路以穿透所述第一绝缘层，涂覆光可成像电介质材料以在所述第一绝缘层的顶表面上形成第二绝缘层，以及形成第二通路以穿透所述第二绝缘层。
本发明授权半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 下部再分布层； 堆叠体，其在所述下部再分布层的顶表面的第一区域上；以及 半导体芯片，其在所述下部再分布层的所述顶表面的第二区域上，其中： 所述堆叠体包括： 第一绝缘层，其在所述下部再分布层的所述顶表面上； 第二绝缘层，其在所述第一绝缘层的顶表面上； 第一通路，其穿透所述第一绝缘层； 第一互连线，其位于所述第一绝缘层的顶表面和所述第一通路的顶表面上，并且具有与所述第二绝缘层的底表面共面的底表面； 第二通路，其穿透所述第二绝缘层，并且具有与所述第一互连线的顶表面接触的底表面，以通过所述第一互连线连接到所述第一通路；以及 第二互连线，其位于所述第二绝缘层的顶表面和所述第二通路的顶表面上，并且连接到所述第二通路， 其中，所述第二通路具有竖直延伸的中心轴，所述第二通路的中心轴与所述第一通路的竖直延伸的中心轴间隔开，并且 其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在朝向所述半导体芯片的方向上形成阶梯结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励