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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110473858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910374306.6，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权半导体封装及其制造方法是由方绪南;庄淳钧;叶勇谊设计研发完成，并于2019-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装包含半导体裸片、多个导电凸块、屏蔽层、封装体及重布层。所述半导体裸片具有有源表面、背侧表面及侧表面。所述导电凸块安置在所述半导体裸片的所述有源表面上。所述屏蔽层安置在所述半导体裸片的所述侧表面上。所述封装体覆盖所述屏蔽层，且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述重布层安置在所述封装体的所述第一表面上且通过所述导电凸块电连接到所述半导体裸片。所述屏蔽层电连接到所述重布层。

本发明授权半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其包括： 半导体裸片，具有有源表面、背侧表面及侧表面； 多个导电凸块，安置在所述半导体裸片的所述有源表面上； 屏蔽层，安置在所述半导体裸片的所述侧表面上，所述屏蔽层具有第一端及与所述第一端相对的第二端； 封装体，覆盖所述屏蔽层，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述屏蔽层的所述第一端和所述第二端分别与所述封装体的所述第一表面和所述第二表面共面； 重布层，安置在所述封装体的所述第一表面上，且通过所述导电凸块电连接到所述半导体裸片，其中所述屏蔽层电连接到所述重布层； 第一粘着层，所述第一粘着层具有第一表面、与第一表面相对的第二表面及在第一表面与第二表面之间延伸的侧表面，所述第一表面安置在所述半导体裸片的所述背侧表面上且与其接触，所述侧表面与所述半导体裸片的所述侧表面共面，其中所述屏蔽层安置在所述半导体裸片的所述侧表面及所述第一粘着层的所述侧表面上，所述屏蔽层的所述第二端与所述第一粘着层的所述第二表面共面； 金属层，安置在所述第一粘着层上，所述金属层的底表面接触所述屏蔽层的所述第二端、所述第一粘着层的所述第二表面及所述封装体的所述第二表面，所述屏蔽层和所述金属层共同为所述半导体裸片提供电磁屏蔽功能； 支撑层，所述支撑层安置在所述金属层上，所述支撑层的侧表面与所述金属层的侧表面共面；以及 散热片，所述散热片安置于邻近所述封装体的所述第二表面，所述散热片的侧表面与所述封装体的外侧表面共面。

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