江苏第三代半导体研究院有限公司周国清获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种碳化硅晶片的剥离装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224124547U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202521127452.6,技术领域涉及:H10P72/00;该实用新型一种碳化硅晶片的剥离装置是由周国清设计研发完成,并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶片的剥离装置在说明书摘要公布了:本实用新型公开一种碳化硅晶片的剥离装置,包括:容置槽、夹持升降装置、超声波装置以及磁吸装置,容置槽用于容纳液态介质;夹持升降装置,用于夹持固定第一碳化硅晶锭,带动第一碳化硅晶锭浸没于液态介质中;第一碳化硅晶锭包括依次叠置的晶锭部分、改质层和晶片部分;超声波装置的超声波振头设置于容置槽槽底外侧,用于使液态介质和第一碳化硅晶锭共振,以将晶锭部分和晶片部分相分离,得到第一碳化硅晶片;磁吸装置设置于容置槽内的槽底内侧,用于在晶片部分和晶锭部分分离过程中,对第一碳化硅晶片磁吸,直至吸附固定。本实用新型将超声波装置共振和磁吸装置吸附相结合,共同作用于第一碳化硅晶锭,能够快速剥离第一碳化硅晶片,且无损伤。
本实用新型一种碳化硅晶片的剥离装置在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅晶片的剥离装置,其特征在于,包括: 容置槽,用于容纳液态介质; 夹持升降装置,用于夹持固定第一碳化硅晶锭,并带动所述第一碳化硅晶锭浸没于所述液态介质中;所述第一碳化硅晶锭包括沿其厚度方向依次叠置的晶锭部分、改质层和晶片部分; 超声波装置,包括超声波振头,所述超声波振头设置于所述容置槽的槽底外侧,用于使所述容置槽内的所述液态介质和所述第一碳化硅晶锭共振,以将所述第一碳化硅晶锭的晶锭部分和晶片部分相分离,得到第一碳化硅晶片;其中,所述第一碳化硅晶片至少包括分离得到的晶片部分; 磁吸装置,设置于所述容置槽内的槽底内侧,所述磁吸装置具有第一磁吸面,用于在所述晶片部分和所述晶锭部分分离的过程中,对所述第一碳化硅晶片进行磁吸,以将所述第一碳化硅晶片吸附固定。
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