西南技术物理研究所王顺艳获国家专利权
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龙图腾网获悉西南技术物理研究所申请的专利一种进光面扩展型三维微阵列结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124516U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423233371.2，技术领域涉及：H10F77/70；该实用新型一种进光面扩展型三维微阵列结构是由王顺艳;吴冠豪;杨峰;石振东;彭涛;苏成欢设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种进光面扩展型三维微阵列结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种进光面扩展型三维微阵列结构，其包括硅片本体，硅片本体形成有阵列式排布的三维微结构，三维微结构为倒金字塔型，硅片本体为Si100晶面，倒金字塔型三维微结构腔体侧面为Si111晶面。本实用新型所形成的三维微阵列结构中，单个三维微结构表面积可增加73％，有效提高光谱吸收效率；倒金字塔型三维微结构侧面Si111晶面可对入射光进行内部多次反射，形成多次吸收，进一步提高光谱吸收效率。
本实用新型一种进光面扩展型三维微阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种进光面扩展型三维微阵列结构，其特征在于，包括硅片本体，硅片本体上形成有阵列式排布的三维微结构，三维微结构为倒金字塔型，硅片本体为Si100晶面，倒金字塔型三维微结构腔体侧面为Si111晶面。
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