浙江芯盟半导体技术有限责任公司陈远智获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯盟半导体技术有限责任公司申请的专利一种基于推挽结构的IGBT驱动电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224124043U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520758360.1,技术领域涉及:H02M1/08;该实用新型一种基于推挽结构的IGBT驱动电路是由陈远智设计研发完成,并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于推挽结构的IGBT驱动电路在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种基于推挽结构的IGBT驱动电路,涉及电力电子器件驱动技术领域,该IGBT驱动电路包括光耦隔离模块,用于接收控制信号并提供电气隔离输出;推挽驱动模块,包含互补对称的NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2;推挽驱动模块被配置为:当光耦导通时,Q1饱和导通、Q2截止,驱动电流经R2为IGBT栅极充电;当光耦关断时,Q2饱和导通、Q1截止,驱动电流经R3为IGBT栅极放电。通过推挽结构提供双向驱动电流,加快IGBT栅极电荷充放电速度,降低开关损耗,通过开通电阻R2、关断电阻R3双向驱动电流,把开通电阻R2的阻值选小,以达到降低开通损耗Eon的目的,把关断电阻R3的阻值选大,以达到降低关断Vce降低的目的。
本实用新型一种基于推挽结构的IGBT驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种基于推挽结构的IGBT驱动电路,其特征在于,包括: 光耦隔离模块,用于接收控制信号并提供电气隔离输出; 推挽驱动模块,包含互补对称的NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2,推挽驱动模块被配置为: 当光耦导通时,Q1饱和导通、Q2截止,驱动电流经R2为IGBT栅极充电; 当光耦关断时,Q2饱和导通、Q1截止,驱动电流经R3为IGBT栅极放电。
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