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龙图腾网获悉江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121692881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610194833.9，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权倒装LED芯片及其制备方法是由李文涛;敖应权;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：衬底，层叠于衬底上的外延层、绝缘保护层、反射层、第一绝缘层、P型金属导电层、N型金属导电层、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层；反射层设于P型半导体层的上方；反射层包括抗电迁移部、反射部和保护部；抗电迁移部和反射部相邻设置，抗电迁移部靠近N型导电台阶设置，保护部覆盖抗电迁移部和反射部；抗电迁移部包括依次层叠的抗电迁移本部和第一抗氧化部；抗电迁移本部由多组金属对组成，每组金属对均包括依次层叠的Ag金属层和AgNi合金层；第一抗氧化部由Ni、Au、Ti、Cr中的一种或多种制成。实施本发明，可提升可靠性。

本发明授权倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：衬底，层叠于衬底上的外延层、绝缘保护层、反射层、第一绝缘层、P型金属导电层、N型金属导电层、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层； 其中，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述外延层上形成有发光结构、隔离槽和N型导电台阶，所述N型导电台阶设于所述发光结构的一侧并暴露所述N型半导体层，所述绝缘保护层覆盖所述N型导电台阶、隔离槽以及所述发光结构的侧壁；所述第一绝缘层覆盖所述绝缘保护层和所述反射层； 所述反射层设于所述P型半导体层的上方；所述反射层包括抗电迁移部、反射部和保护部；所述抗电迁移部和所述反射部相邻设置，所述抗电迁移部靠近所述N型导电台阶设置，所述保护部覆盖所述抗电迁移部和所述反射部；所述抗电迁移部包括依次层叠的抗电迁移本部和第一抗氧化部；所述抗电迁移本部由多组金属对组成，每组金属对均包括依次层叠的Ag金属层和AgNi合金层；所述第一抗氧化部由Ni、Au、Ti、Cr中的一种或多种制成。

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