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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610063719.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件是由朱普磊;冯锐;余家海;刘语林;梁志炜;马辑设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件，结构包括：衬底；超结外延层，位于衬底的顶面上，包括两种导电类型不同的掺杂柱栅极结构，位于超结外延层远离衬底一侧，并沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；第一鳍式结构，位于相邻栅极结构之间的超结外延层内，包括第一基区、源区及屏蔽区；源区与屏蔽区经由第一鳍式结构的顶面，沿第一方向交替排列，第一基区设置于源区的正下方；第二鳍式结构，位于栅极结构远离第一鳍式结构的一侧；其中，第一鳍式结构位于第一导电类型的掺杂柱的正上方；栅极结构底面不低于屏蔽区，顶面低于第一鳍式结构、第二鳍式结构的顶面。能够有效地提升器件的沟道迁移率并缩小芯片面积。

本发明授权集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件在权利要求书中公布了：1.一种集成鳍式结构的元胞结构，其特征在于，用于SiC功率器件，包括： 衬底； 超结外延层，位于衬底的顶面上，包括沿第一方向交替排列的两种导电类型不同的掺杂柱； 栅极结构，位于所述超结外延层远离所述衬底一侧，并沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；所述栅极结构包括沿背离所述衬底的方向依次排列的栅氧层、栅导电层，以及覆盖所述栅氧层及所述栅导电层顶面的栅介电层； 第一鳍式结构，位于相邻所述栅极结构之间的超结外延层内，包括第一基区、源区及屏蔽区；所述源区与所述屏蔽区经由所述第一鳍式结构的顶面，沿所述第一方向交替排列，所述第一基区设置于所述源区的正下方；所述第一鳍式结构厚度范围为25nm-200nm； 第二鳍式结构，位于所述栅极结构远离所述第一鳍式结构的一侧，由经由所述第二鳍式结构的顶面向内延伸的第二基区组成；所述第二鳍式结构厚度范围为：50nm-300nm； 其中，所述第一鳍式结构位于第一导电类型的掺杂柱的正上方；所述栅极结构底面不低于所述屏蔽区，顶面低于所述第一鳍式结构、所述第二鳍式结构的顶面；所述栅氧层的顶面不低于所述源区的底面，且经部分刻蚀边缘呈圆角形；所述栅导电层的顶面低于所述栅氧层的顶面。

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