华邦电子股份有限公司韦承宏获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311349493.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韦承宏;潘增燿设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构形成方法包含：提供基板，基板具有相邻的字线区及选择栅极区域，依序形成堆叠层以及硬掩膜层于基板上，以及形成图案化芯轴于硬掩膜层上。还包括于图案化芯轴的相对侧壁形成侧壁间隔物，形成图案化光刻胶于选择栅极区域上方，以及以侧壁间隔物及图案化光刻胶作为掩膜，依序图案化硬掩膜层及堆叠层，以分别形成字线于字线区以及选择栅极于选择栅极区域，其中字线之间具有第一间距，字线最靠近选择栅极的第一字线与选择栅极具有第二间距，且第二间距大于第一间距。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一基板，所述基板具有相邻的一字线区及一选择栅极区域； 依序形成一堆叠层以及一硬掩膜层于所述基板上； 形成多个图案化芯轴于所述硬掩膜层上，其中所述字线区及所述选择栅极区域交界处最靠近的两个图案化芯轴之间的距离小于所述字线区中所述图案化芯轴之间的距离； 于所述图案化芯轴的多个相对侧壁形成多个侧壁间隔物，且在所述字线区与所述选择栅极区域中紧邻的两个图案化芯轴之间具有一第一连体间隔物； 形成一图案化光刻胶于所述选择栅极区域上方；以及 以所述多个侧壁间隔物及所述图案化光刻胶作为掩膜，依序图案化所述硬掩膜层及所述堆叠层，以分别形成多个字线于所述字线区以及一选择栅极于所述选择栅极区域； 其中所述多个字线之间具有一第一间距，所述多个字线最靠近所述选择栅极的一第一字线与所述选择栅极具有一第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距。
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