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龙图腾网获悉力旺电子股份有限公司申请的专利反熔丝型一次编程存储器及其相关偏压控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411011855.4，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权反熔丝型一次编程存储器及其相关偏压控制方法是由陈稐寯;何秉隆;林春甫;陈信铭设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝型一次编程存储器及其相关偏压控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种反熔丝型一次编程存储器及其相关偏压控制方法，其中该反熔丝型一次编程存储器包括一第一存储单元。第一存储单元中具有一反熔丝晶体管。反熔丝晶体管包括：一第一纳米线、一第一栅极结构、一第一漏源结构与一第二漏源结构。第一纳米线被第一栅极结构所环绕。第一栅极结构包括：一第一间隙壁、一第二间隙壁、一第一栅极介电层以及一第一栅极层。第一漏源结构电性接触于第一纳米线的第一端。第二漏源结构电性接触于第一纳米线的第二端。

本发明授权反熔丝型一次编程存储器及其相关偏压控制方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝型一次编程存储器具有第一存储单元，该第一存储单元包括： P型半导体基板； P型阱区，位于该P型半导体基板的表面； N型区域，形成于该P型半导体基板内且位于该P型阱区下方，其中通过该N型区域，使该N型区域下方的该P型半导体基板与该P型阱区之间未互相接触，且该P型阱区为隔离P型阱区； 第一纳米线； 第一栅极结构，包括第一间隙壁、第二间隙壁、第一栅极介电层与第一栅极层；其中，该第一栅极介电层环绕该第一纳米线的中间区域，该第一栅极层环绕该第一栅极介电层，该第一栅极层电连接至第一字线，该第一纳米线的第一端被该第一间隙壁包围，该第一纳米线的第二端被该第二间隙壁包围，且该第一间隙壁与该第二间隙壁位于该P型阱区上方； 第一漏源结构，位于该P型阱区上方，电性接触于该第一纳米线的该第一端，且电连接至第一位线； 第二漏源结构，位于该P型阱区上方，并且电性接触于该第一纳米线的该第二端；其中，该第一纳米线、该第一栅极结构、该第一漏源结构与该第二漏源结构形成第一选择晶体管； 第二纳米线； 第二栅极结构，包括第三间隙壁、第四间隙壁、第二栅极介电层与第二栅极层；其中，该第二栅极介电层环绕该第二纳米线的中间区域，该第二栅极层环绕该第二栅极介电层，该第二栅极层电连接至第一反熔丝控制线，该第二纳米线的第一端被该第三间隙壁包围，该第二纳米线的第二端被该第四间隙壁包围，且该第三间隙壁与该第四间隙壁位于该P型阱区上方； 第三漏源结构，位于该P型阱区上方，电性接触于该第二纳米线的该第一端，其中该第三漏源结构耦接至该第二漏源结构； 第四漏源结构，位于该P型阱区上方，电性接触于该第二纳米线的该第二端，其中该第二纳米线、该第二栅极结构、该第三漏源结构与该第四漏源结构形成第一反熔丝晶体管； 第三纳米线，其中该第四漏源结构电性接触于该第三纳米线的第一端； 第三栅极结构，包括第五间隙壁、第六间隙壁、第三栅极介电层与第三栅极层；其中，该第三栅极介电层环绕该第三纳米线的中间区域，该第三栅极层环绕该第三栅极介电层，该第三栅极层电连接至假栅控制线，该第三纳米线的第一端被该第五间隙壁包围，该第三纳米线的第二端被该第六间隙壁包围，且该第五间隙壁与该第六间隙壁位于该P型阱区上方；以及 第五漏源结构，位于该P型阱区上方，电性接触于该第三纳米线的该第二端，其中该第三纳米线、该第三栅极结构、该第四漏源结构与该第五漏源结构形成假晶体管； 其中，在编程动作时，该P型阱区接收负编程电压，该N型区域接收第一电压，该P型半导体基板接收第二电压，且该假栅控制线接收第三电压；该P型阱区与该N型区域之间为逆向偏压；该第三电压小于等于该负编程电压，且该P型半导体基板与该N型区域之间为该逆向偏压或者零偏压； 其中，该第一电压大于等于接地电压，该第二电压大于等于该负编程电压，且该第二电压小于等于该第一电压。

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