电子科技大学李轩获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211062287.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法是由李轩;王常旺;吴一帆;李凌峰;邓小川;张波设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法，包括硅N+型衬底、超结N区、超结P区、氧化硅薄膜、N区铝薄膜、P区铝薄膜、衬底背面铝薄膜；包括步骤：1在N+硅衬底片上制备超结结构，然后在超结结构表面生长氧化硅薄膜，接着在氧化硅薄膜表面溅射金属薄膜，同时在N+衬底背面也溅射一层金属薄膜，得到叉指超结MIS结构器件；2在低频或高频条件下分别测试叉指超结MIS结构的N区与P区的C‑V特性曲线；3通过比较超结N区和P区高频C‑V特性曲线电容最小值，对超结结构是否电荷平衡进行判定。利用本发明，可以判断超结结构的电荷平衡情况与NP区具体的非平衡度，该判断方法简单且有效。
本发明授权评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构，其特征在于：包括衬底背面铝薄膜7、衬底背面铝薄膜7上方的硅N+型衬底1，硅N+型衬底1上方的交替排列的超结N区2与超结P区3，超结N区2与超结P区3上方的氧化硅薄膜4，氧化硅薄膜4上方的N区铝薄膜5和P区铝薄膜6，N区铝薄膜5和P区铝薄膜6为叉指结构，N区铝薄膜5和P区铝薄膜6都包括沿超结N区2与超结P区3交替排列方向延伸的水平段、垂直于水平段上的多个垂直段，相邻的N区铝薄膜5的垂直段之间伸入P区铝薄膜6的垂直段，相邻的P区铝薄膜6的垂直段之间伸入N区铝薄膜5的垂直段；N区铝薄膜5的垂直段位于超结N区2上方对应区域，P区铝薄膜6的垂直段位于P区3上方对应区域，N区铝薄膜5与P区铝薄膜6不接触。
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