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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168952.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法是由张金平;黄云翔;兰逸飞;张波设计研发完成，并于2022-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明通过浮空P区18的电位，为分离栅11提供偏置电位，由此形成沟槽下方的电子积累能力，增强了电导调制能力，从而增强了器件的正向导通能力。相较于传统分离栅结构，自偏置结构的二极管和电容结构集成至IGBT结构中，在几乎不影响器件体积和IGBT工作的情况下能够同时提高器件的导通能力与开关性能，消除了分离栅所带来的负面影响，在改善开关损耗，提升开关速度的同时，也能优化器件正向导通能力，提高了器件正向导通压降与关断损耗之间的折中特性。

本发明授权一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8、N-漂移区7和有源区；所述有源区包括位于N-漂移区7上表面两端的P型基区4和P区20、位于P型基区4和P区20之间的沟槽栅极结构、浮空P区18、沟槽发射极结构，其中浮空P区18位于沟槽栅极结构和沟槽发射极结构之间，沟槽栅极结构与P型基区4接触，沟槽发射极结构与P区20接触，同时沟槽栅极结构、浮空P区12和沟槽发射极结构的下表面结深并大于P型基区4和P区20的下表面结深； 所述P型基区4的上表面并列设置有P+发射区2和N+发射区3，其中N+发射区3位于靠近沟槽栅极结构一侧，在P+发射区2和N+发射区3上表面具有第一金属1-1； 所述沟槽栅极结构包括沟槽栅极5、分裂栅极11和栅氧化层6，其中分裂栅极11位于沟槽栅极5的正下方并由栅氧化层6隔离，同时沟槽栅极5、分裂栅极11与P型基区4、浮空P区18、N-漂移区7之间也通过栅氧化层6隔离； 定义器件横向方向、器件垂直方向和器件纵向方向构成三维坐标系，其中器件横向方向是指P型基区4指向P区20的方向，器件垂直方向是指集电极金属10指向有源区的方向；则沿器件纵向方向，浮空P区18的一端上层嵌入有P+欧姆接触区17，浮空P区18的另一端上表面具有氧化层16，所述P+欧姆接触区17上表面具有第二金属13，所述氧化层16上表面具有多晶硅二极管，多晶硅二极管由沿器件纵向方向并列设置的多晶硅二极管P型区14和多晶硅二极管N型区15构成，所述晶硅二极管P型区14与第二金属13沿器件纵向方向连接；在第二金属13上表面、多晶硅二极管上表面具有介质层12，介质层12上表面具有第三金属1-3； 所述沟槽发射极结构包括沟槽发射极21和栅氧化层6，其中栅氧化层6将沟槽发射极21与浮空P区18、P+欧姆接触区17、P区20、N-漂移区7隔离；所述沟槽发射极21上表面具有第四金属1-2； 所述P区20的上表面具有N+接触区19，所述第四金属1-2也覆盖N+接触区19的上表面； 所述分裂栅极11与多晶硅二极管N型区15电气连接，并在分裂栅极11与第一金属1-1之间串接电容C，从而使浮空P区18的电位为电容C充电，实现对分裂栅的自偏置。

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