LG伊诺特有限公司郑东宪获国家专利权
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龙图腾网获悉LG伊诺特有限公司申请的专利电路板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115245057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180019846.8,技术领域涉及:H05K3/42;该发明授权电路板是由郑东宪;权纯圭;黄贞镐;金珉志;安代揆设计研发完成,并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路板在说明书摘要公布了:根据实施例的电路板包括:绝缘层,绝缘层包括第一通孔;第一导通孔部,包括设置在第一通孔中的第一导通孔,其中,第一导通孔设置在第一通孔的第一区域中;以及第二导通孔部,设置在第一通孔的除第一区域之外的第二区域中。第二区域为第一通孔的中央区域,第一区域为第二区域的外围区域,第一导通孔部和第二导通孔部分别包括与另一个导通孔部接触的第一表面以及暴露于绝缘层上的除第一表面以外的第二表面;其中,第一表面具有第一表面粗糙度;并且其中,第二表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度。
本发明授权电路板在权利要求书中公布了:1.一种电路板,包括: 第一绝缘层; 第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上; 第一贯通电极,设置在沿着垂直方向整体贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一通孔中;第二贯通电极,设置在沿着所述垂直方向贯穿所述第一绝缘层的至少一部分的第二通孔中;以及 第三贯通电极,设置在沿着所述垂直方向贯穿所述第二绝缘层的至少一部分的第三通孔中 其中,所述第一贯通电极包括: 第一电极部,与所述第一通孔的内壁接触并且填充所述第一通孔的一部分;以及 第二电极部,设置在所述第一电极部上并且填充所述第一通孔的剩余部分;并且 其中,所述第一贯通电极的水平方向上的宽度和所述垂直方向上的厚度大于所述第二贯通电极或所述第三贯通电极的所述水平方向上的宽度和所述垂直方向上的厚度,并且 其中,所述第二贯通电极和所述第三贯通电极中的每一个沿着所述水平方向与所述第一贯通电极重叠。
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