买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于竖直三维(3D)存储器的自对准回蚀获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210424969.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权用于竖直三维(3D)存储器的自对准回蚀是由杨立涛;李时雨;刘海涛;K·M·考尔道设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于竖直三维(3D)存储器的自对准回蚀在说明书摘要公布了：提供用于竖直三维3D存储器的自对准回蚀的系统、方法和设备。一种实例方法包含：沉积第一介电材料、半导体材料和第二介电材料的层以形成竖直堆叠；形成第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有第一竖直侧壁的细长竖直柱列；以及穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露第二竖直侧壁。此外，所述实例方法包含：移除所述半导体材料的部分以形成第一水平开口，以及在所述第一水平开口中沉积填充材料。所述方法可进一步包含：形成第三竖直开口以暴露所述竖直堆叠中的第三竖直侧壁，以及选择性地移除所述填充材料以形成其中要形成水平定向的存储节点的多个第二水平开口。

本发明授权用于竖直三维(3D)存储器的自对准回蚀在权利要求书中公布了：1.一种用于形成具有水平定向的存取装置129,229,329,1333-1,1338-2，……，1338-N，1442和水平定向的存储节点1444的竖直堆叠存储器单元阵列101-1,101-2，……，101-N，201-1,201-2，……，201-N的方法，所述方法包括： 在重复迭代中竖直地沉积第一介电材料430-1,430-2，……，430-N，630-1,630-2，……，630-N，730-1,730-2，……，730-N，830-1,830-2，……，830-N，930-1,930-2，……，930-N，1030-1,1030-2，……，1030-N，1130-1,1130-2，……，1130-N，1230-1,1230-2，……，1230-N，1330-1,1330-2，……，1330-N、半导体材料432-1,432-2，……，432-N，632-1,632-2，……，632-N，732-1,732-2，……，732-N，832-1,832-2，……，832-N，932-1,932-2，……，932-N，1032-1,1032-2，……，1032-N，1132-1,1132-2，……，1132-N和第二介电材料433-1,433-2，……，433-N，633-1,633-2，……，633-N，733-1,733-2，……，733-N，833-1,833-2，……，833-N，933-1,933-2，……，933-N，1033-1,1033-2，……，1033-N，1133-1,1133-2，……，1133-N，1233-1,1233-2，……，1233-N，1333-1,1333-2，……，1333-N的层以形成竖直堆叠402； 形成多个第一竖直开口512，所述第一竖直开口具有第一水平方向509,709,909,1009,1109和第二水平方向505,705,905,1005，穿过所述竖直堆叠402且主要在所述第二水平方向505,705,905,1005上延伸，以在所述竖直堆叠402中形成具有第一竖直侧壁514的细长竖直柱列513,542； 在所述多个第一竖直开口512中的栅极介电材料104,304,538,638,1038,1138,1238,1338上共形地沉积导电材料540-1,540-2，……，540-4,640-1,640-2，……，640-N-1，640-N，640-N+1，……，640-Z-1，640-Z，1077； 移除所述多个第一竖直开口512中的所述导电材料540-1,540-2，……，540-4,640-1,640-2，……，640-N-1，640-N，640-N+1，……，640-Z-1，640-Z，1077的部分，以沿着所述第一竖直侧壁514形成多个单独的竖直导电线540-1,540-2，……，540-4,740,940； 在所述多个第一竖直开口512中沉积第三介电材料541,641,741,941,1041,1141,1241,1341； 在所述第三介电材料541,641,741,941,1041,1141,1241,1341中形成多个第二竖直开口749,849,949以暴露所述竖直堆叠402中的第二竖直侧壁745； 在所述半导体材料432-1,432-2，……，432-N，632-1,632-2，……，632-N，732-1,732-2，……，732-N，832-1,832-2，……，832-N，932-1,932-2，……，932-N，1032-1,1032-2，……，1032-N，1132-1,1132-2，……，1132-N的所述层中形成多个第一水平开口831-1,831-2； 沉积填充材料934-1,934-2以填充所述细长竖直柱列513,542中的所述多个第一水平开口831-1,831-2； 形成第三竖直开口1051以暴露所述竖直堆叠402中邻近存储节点区1050,1150,1244,1344的第三竖直侧壁；以及 沿着所述第二水平方向505,705,905,1005选择性地移除所述填充材料934-1,934-2，以形成其中要形成所述水平定向的存储节点1444的多个第二水平开口1079。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。