上海华虹宏力半导体制造有限公司戴若凡获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种自偏置有源跨导增强放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115208328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210897483.4，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种自偏置有源跨导增强放大电路是由戴若凡设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自偏置有源跨导增强放大电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自偏置有源跨导增强放大电路，包括：输入放大模块，用于实现射频输入信号的初步放大；级间匹配及偏置电路，用于完成所述输入放大模块和输出放大模块两级之间的级间匹配以及所述输入放大模块的输出端直流偏置；输出放大模块，用于完成经所述输入放大模块初步放大后的射频输入信号的进一步放大；自偏置有源跨导增强放大器，用于将所述射频输入信号进行自举放大后传输至所述输入放大模块的输入端。
本发明授权一种自偏置有源跨导增强放大电路在权利要求书中公布了：1.一种自偏置有源跨导增强放大电路，包括： 输入放大模块，用于实现射频输入信号的初步放大； 级间匹配及偏置电路，用于完成所述输入放大模块和输出放大模块两级之间的级间匹配以及所述输入放大模块的输出端直流偏置； 输出放大模块，用于完成经所述输入放大模块初步放大后的射频输入信号的进一步放大； 自偏置有源跨导增强放大器，用于将所述射频输入信号进行自举放大后传输至所述输入放大模块的输入端； 其中，所述输入放大模块包括第一输入偏置电路、输入级和输入耦合电容Cin；所述自偏置有源跨导增强放大器包括第三漏极电感Lg、第三偏置电阻R0、自举输出耦合电容C0和NMOS自举放大管Mg，所述NMOS自举放大管Mg的漏极通过所述第三漏极电感Lg连接至所述第一输入偏置电路的第二输出端，并连接至所述自举输出耦合电容C0的一端，所述自举输出耦合电容C0的另一端连接所述输入级，并连接所述第三偏置电阻R0的一端，所述NMOS自举放大管Mg的源极接地，栅极连接所述输入耦合电容Cin以及第三偏置电阻R0的另一端。
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