买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210863478.1，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器是由刘晓阳;王晓光设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，该方法包括：提供衬底；于衬底中形成多个第一电极结构和多个位线；其中，多个位线均沿第一方向延伸，第一电极结构和位线沿第二方向间隔排列，且多个第一电极结构呈阵列排布；于第一电极结构上方形成MTJ结构；于衬底上方形成绝缘层，且绝缘层覆盖衬底和MTJ结构；于绝缘层中形成多个电极沟槽，电极沟槽暴露MTJ结构的顶面和位线的顶面；于多个电极沟槽中形成多个第二电极结构。本公开实施例能够降低制备电极时的对准精度要求，降低工艺难度，同时提高位线密度。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底中形成多个第一电极结构和多个位线；其中，所述多个位线均沿第一方向延伸，所述第一电极结构和所述位线沿第二方向间隔排列，且所述多个第一电极结构呈阵列排布； 于所述第一电极结构上方形成MTJ结构； 于所述衬底上方形成绝缘层，且所述绝缘层覆盖所述衬底和所述MTJ结构； 于所述绝缘层中形成多个电极沟槽，所述电极沟槽暴露所述MTJ结构的顶面和所述位线的顶面； 于所述多个电极沟槽中形成多个第二电极结构； 所述于所述第一电极结构上方形成MTJ结构，包括： 于所述衬底上方形成MTJ层； 于所述MTJ层上方形成覆盖层； 对所述覆盖层和所述MTJ层进行图案化处理，形成多个MTJ柱；其中，每一所述MTJ柱对应形成在每一所述第一电极结构的上方； 于所述MTJ柱的侧面形成侧壁保护层； 其中，所述MTJ柱和所述侧壁保护层组成所述MTJ结构； 所述于所述绝缘层中形成多个电极沟槽，包括： 于所述绝缘层中形成多个第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述覆盖层和所述侧壁保护层的顶面； 于所述绝缘层中形成多个第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述位线的顶面； 其中，所述第一沟槽与所述第二沟槽连接组成所述电极沟槽，且所述第二沟槽与所述MTJ结构不连接； 所述于所述绝缘层中形成多个第二沟槽，包括： 于所述第一沟槽中形成掩膜结构； 以所述掩膜结构作为MTJ保护结构，去除位于所述位线上方的所述绝缘层，形成所述多个第二沟槽； 去除所述掩膜结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。