爱思开海力士有限公司黃盛炫获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111589186.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法是由黃盛炫;李晋行设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法。存储器装置包括：单元组，其包括能够存储数据的多个非易失性存储器单元；以及控制电路，其被配置为执行用于存储数据的多个编程循环，每个编程循环包括编程电压施加操作和验证操作。在相应的编程循环期间，控制电路响应于针对N目标电平的编程电压施加操作而针对N目标电平、低于N目标电平的N‑1目标电平和高于N目标电平的N+1目标电平执行验证操作。当具有超过N+1目标电平的阈值电压的非易失性存储器单元的数量满足预设标准时，控制电路响应于针对N+1目标电平的下一编程电压施加操作而跳过针对低于N+1目标电平的目标电平的下一验证操作。
本发明授权在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 单元组，所述单元组包括能够存储数据的多个非易失性存储器单元；以及 控制电路，所述控制电路执行用于存储所述数据的多个编程循环，每个编程循环包括针对所述多个非易失性存储器单元的编程电压施加操作和与所述编程电压施加操作相对应的验证操作， 其中，所述控制电路在相应的编程循环期间响应于针对N目标电平的所述编程电压施加操作而针对所述N目标电平、低于所述N目标电平的N-1目标电平和高于所述N目标电平的N+1目标电平执行所述验证操作，并且 其中，所述控制电路在具有超过所述N+1目标电平的阈值电压的非易失性存储器单元的数量满足预设标准时，响应于针对所述N+1目标电平的下一编程电压施加操作而跳过针对低于所述N+1目标电平的目标电平的下一验证操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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