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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210787120.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法是由张跃;张腾;柏松;黄润华设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法，本发明通过形成第二导电类型柱区，在减小了栅氧化层尖峰电场、保护了栅氧化层的同时，利用柱形区与外延层形成的超结结构，在保证器件击穿特性不退化的前提下，明显减小了器件的漂移区电阻，从而有效改善了器件的正向导通特性。

本发明授权一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述SiC沟槽MOSFET器件包括： 漏极电极1； 第一导电类型衬底2，位于所述漏极电极1的上表面； 第一导电类型外延层3，位于所述第一导电类型衬底2的上表面，所述第一导电类型外延层3掺杂浓度为1×1016cm-3~2×1017cm-3； 第二导电类型阱区6，位于所述第一导电类型外延层3的上表面； 第一导电类型源区9，位于所述第二导电类型阱区6预设区域的上表面； 第二导电类型重掺杂区8，位于所述第二导电类型阱区6其余区域的上表面； 栅沟槽，位于所述第一导电类型外延层3、第二导电类型阱区6和第一导电类型源区9中； 栅介质层5，位于所述栅沟槽表面； 栅电极7，位于所述栅介质层5内部； 源极电极10，位于所述第一导电类型源区9部分上表面和第二导电类型重掺杂区8上表面； 第二导电类型柱区4，位于所述第二导电类型阱区6和栅沟槽下方的第一导电类型外延层3中，所述第二导电类型柱区4掺杂浓度为1×1016cm-3~5×1017cm-3；所述第二导电类型阱区6与第二导电类型柱区4之间通过离子注入形成第二导电类型调制区； 隔离介质层11，位于第一导电类型源区9剩余部分上表面和栅介质层5上表面； 所述制造方法包括以下步骤： S1.在第一导电类型衬底2上通过外延生长形成第一导电类型外延层3； S2.通过深槽刻蚀去除第二导电类型柱区4所在区域的第一导电类型外延层3； S3.通过外延回填工艺或多次注入-外延工艺形成第二导电类型柱区4； S4.二次外延形成阱区外延层，通过光刻工艺及离子注入工艺形成第二导电类型阱区6、第二导电类型重掺杂区8和第一导电类型源区9； S5.从第一导电类型源区9至第一导电类型外延层3通过刻蚀形成栅沟槽； S6.去除刻蚀掩膜层，对栅沟槽进行钝化处理和高温退火； S7.在栅沟槽内部淀积形成栅介质层5，并进行高温退火处理； S8.通过化学气相沉积工艺在栅介质层5内部生长栅电极材料，以形成栅电极7； S9.在第一导电类型源区9部分上表面和栅介质层5上表面淀积形成隔离介质层11，以形成源极窗口，通过此源极窗口形成源极欧姆接触，在第一导电类型衬底2下表面形成漏极欧姆接触，于源极欧姆接触层上表面形成源极电极10，于漏极欧姆接触层下表面形成漏极电极1。

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