美光科技公司何源获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于单端式全局及局部输入/输出架构的设备及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115148233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210080116.5,技术领域涉及:G11C5/06;该发明授权用于单端式全局及局部输入/输出架构的设备及方法是由何源;李洛奇设计研发完成,并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于单端式全局及局部输入/输出架构的设备及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及用于单端式全局及局部输入输出架构的设备及方法。常规存储器可使用成对且载送互补信号的局部输入输出LIO及全局输入输出GIO线。本公开包含单端式LIO及GIO架构,其中作为存取操作的部分,单个LIO在读取写入放大器与位线之间耦合单个GIO。这可减小所述存储器装置的占用面积。
本发明授权用于单端式全局及局部输入/输出架构的设备及方法在权利要求书中公布了:1.一种存储器设备,其包括: 单端式局部输入输出LIO线,作为读取操作的部分,所述单端式LIO线可选择性耦合到位线; 感测放大器,其耦合到所述位线; 反相器,其经配置以基于所述单端式LIO线的电压提供栅极电压;以及 晶体管,其经配置以基于所述栅极电压将单端式全局输入输出GIO线选择性耦合到接地电压,其中: 所述单端式LIO线在列选择信号有效时耦合到所述位线, 所述单端式LIO线将所述感测放大器耦合到所述单端式GIO线, 所述单端式GIO线耦合到读取写入放大器, 所述感测放大器包含第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,以及 作为写入操作的部分,所述第一隔离晶体管在所述第二隔离晶体管保持有效时去激活。
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